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[原创] 模拟版图的匹配深入讨论

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发表于 2018-8-7 11:20:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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x
1.DABBAD
2.DABABD
3.DAABBD
4. DABD
    DBAD


看过版图的艺术这本书的,都知道common-centroid的匹配会比较好(没看过的也知道
包括电路设计也经常会要求版图用这种匹配方式
但很多情况下common-centroid并不是最好的
最初的工艺尺寸都比较大,所以工艺,温度梯度的影响也会比较大
这时候common-centroid就能有效的减小梯度的影响
但现在对于深亚微米工艺来说,器件尺寸很小,所以梯度的影响也会很小
4这种结构从梯度影响的角度来看是最好的,但其连线也是最复杂的
对于器件尺寸较小或者高频的信号来说,是没有必要使用这种结构的
尤其对于高频来说,减少寄生很重要
1跟2有什么区别呢
正常情况下1的match会更好,其连线也不比2复杂
但是如果在深亚微米工艺中,想要合并S端,2会是个更好的选则,因为要考虑LOD效应


匹配是版图很重要的一部分,也是面试问的比较多的问题
怎么摆放匹配好大家都知道,但需要知道为什么这么放
dummy怎么加,为什么这么加就是非常考验经验及对工艺的理解了









发表于 2018-8-7 14:51:21 | 显示全部楼层
AABBAABBAABBAA
BBAABBAABBAABB
AABBAABBAABBAA
BBAABBAABBAABB
AABBAABBAABBAA
有人这么设计过匹配吗。。。。
发表于 2018-8-9 16:28:02 | 显示全部楼层



电容匹配吧??管子这么玩的也太夸张了,如果60纳米一一下的这么完要死人的金属寄生电阻一定好大。
发表于 2018-8-10 09:16:20 | 显示全部楼层
回复 3# 存在感


    不会啊,两条M2打过去,在对应的drain上面打V1就行了
发表于 2018-8-10 09:41:03 | 显示全部楼层
深亚微米还能合并源端吗,合并了器件仿真的参数就不一样了。
发表于 2018-8-10 15:15:47 | 显示全部楼层
兄dei分析的很好了
发表于 2020-8-13 16:21:19 | 显示全部楼层
想要合并S端,一般finger都会做成偶数吧,那ABBA方式更好一些,如果finger为1,那也应该是ABBA吧,ABAB怎么合并啊?

点评

我的想法和你一样,楼主说的不能全部赞同  发表于 2020-8-17 10:23
发表于 2020-12-21 10:23:35 | 显示全部楼层


gxd12 发表于 2018-8-7 14:51
AABBAABBAABBAA
BBAABBAABBAABB
AABBAABBAABBAA


bias里的差分对。。。
发表于 2020-12-25 18:03:04 | 显示全部楼层
A B B A 共心匹配
发表于 2020-12-28 11:43:41 | 显示全部楼层


存在感 发表于 2018-8-9 16:28
电容匹配吧??管子这么玩的也太夸张了,如果60纳米一一下的这么完要死人的金属寄生电阻一定好大。 ...


你这个类似于多排的电阻啊,我放多排电阻都是ABBAABBA
ABBAABBA
ABBAABBA
ABBAABBA

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