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[原创] 亚阈值区的MOS管内阻是多少?增益是多少啊?

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发表于 2018-7-20 18:29:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
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本帖最后由 typhoon222 于 2018-7-20 18:34 编辑

亚阈值区的MOS管内阻是多少?增益是多少啊?

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亚阈值区MOS管内阻rds=(VE*L)/IDS,跨导gm=IDS/(n*kT/q),特征增益AV=gm*rds=(VE*L)/(n*kT/q)。 其中VA=VE*L,亚阈值厄利电压类似BJT厄利电压,VE类似于MOS管处于强反向区的VE。 zwtang 2018/8/4
发表于 2018-7-20 18:29:14 | 显示全部楼层
亚阈值区MOS管内阻rds=(VE*L)/IDS,跨导gm=IDS/(n*kT/q),特征增益AV=gm*rds=(VE*L)/(n*kT/q)。

其中VA=VE*L,亚阈值厄利电压类似BJT厄利电压,VE类似于MOS管处于强反向区的VE。

zwtang
2018/8/4
发表于 2018-7-20 20:40:12 | 显示全部楼层
亚阈值区的MOS管,可理解为一个线性电阻,1/R=uw/L*(Vgs-Vth)

增益可理解根据指数特性的三极管的跨到来求解,gm=Id/VT0

增益为gm*负载电阻
发表于 2018-7-21 15:29:31 | 显示全部楼层
MOS管工作在亚阈值区时已经不满足平方率公式,详见拉扎维P23页,此时的Gm比较大。
 楼主| 发表于 2018-7-23 16:28:24 | 显示全部楼层



跟在线性区一样?
怎么推出来的啊?
 楼主| 发表于 2018-7-23 16:46:55 | 显示全部楼层


MOS管工作在亚阈值区时已经不满足平方率公式,详见拉扎维P23页,此时的Gm比较大。
wang.bin 发表于 2018-7-21 15:29



这里没说内阻和增益啊
发表于 2021-4-26 18:23:20 | 显示全部楼层


typhoon222 发表于 2018-7-23 16:28
跟在线性区一样?
怎么推出来的啊?


楼主现在知道是怎么推出来的了吗
发表于 2021-12-28 16:10:44 | 显示全部楼层


typhoon222 发表于 2018-7-23 16:28
跟在线性区一样?
怎么推出来的啊?


是说线性电阻,不是线性区呀
发表于 2023-8-30 15:38:20 | 显示全部楼层


zwtang 发表于 2018-7-20 18:29
亚阈值区MOS管内阻rds=(VE*L)/IDS,跨导gm=IDS/(n*kT/q),特征增益AV=gm*rds=(VE*L)/(n*kT/q)。

其中VA=VE ...


666666
发表于 2025-3-6 16:19:11 | 显示全部楼层
您好,想问一下如果mos管是工作在亚阈值区,但是想要计算该mos管的导通电阻要怎么计算。如果是采用R=Vds/I的计算方式,电阻R跟Vds有关,不同Vds对应的R是不同的,那么Vds应该取多少?取值的依据是什么?若不能这么简单计算,那么要怎么计算导通电阻R?
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