求大神指点：VGS耐压不够，怎么设计驱动电路和电平转换电路

秋雨凌云520 · 发表于 2018-7-19 11:31:55

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最近在做驱动电路，需要用到一个0~5V转换为0~25V的电平转换电路，由于MOS管VGS耐压只有12V左右，传统结构PMOS耐压承受不住。如果加钳位的话，静态电流又太大，既要耐压，又要功耗小。又不允许换工艺，由于VGS耐压的问题，导致驱动电路不知道怎么着手了，求教大神们有什么好的办法吗？

秋雨凌云520 · 发表于 2018-7-19 11:32:44

自己顶一下

andyjackcao · 发表于 2018-7-20 20:46:19

自己顶一下
秋雨凌云520 发表于 2018/7/19 11:32

登录/注册后可看大图

把需要改善的电路贴出来看一看~~~~

122013137 · 发表于 2018-7-21 00:41:14

加钳位的话，静态电流又太大

cityblues · 发表于 2018-7-21 06:37:51

也想知道求一

2002358124 · 发表于 2018-9-11 10:34:00

共同关注！

lynker · 发表于 2018-9-11 14:14:28

我猜高压P管只有非对称管，没有对称管

priestszpku · 发表于 2018-9-11 15:13:12

想办法多串几级吧，每个管子都来分担点电压，使得每个VGS小一点

liu3686 · 发表于 2020-7-18 09:38:44

我也有这个问题楼主解决了吗

peterlin2010 · 发表于 2020-7-18 10:00:50

1. 串 MOS
2. 换工艺
3. 换工作

做不到的事就是做不到 . 为何工艺分很多类, 要求不同 . 你要低压去挡高压. 串是可以, 但是前提 DEVICE 均分耐压, 但是现实上, 一定有差异 . 假设你用 3颗MOS 去分, 其中一个万一偏弱. 全部耐压都会跌在那上面 . 初期流片可能没事 , HTOL 看会不会过, 会过就OK

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