如何解决低压器件(1.8V Device)用高压(3.3V)供电时的耐压问题

CuiBing · 发表于 2018-6-29 11:17:08

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

各位同仁最近在用22nm工艺做一个SRAM，要求外部单一3.3V电源供电，内部core器件采用0.8V Device，因此需要3.3V转0.8V的一个LDO（虽然这个LDO效率很低，但也没有关系），但现在只有1.8V的device可用，这就需要用1.8V的器件去设计一个电源电压为3.3V的LDO，涉及到1.8V器件的耐压问题。查了一此资料处理耐压问题一般都采用叠管子的方法，LDO的方案一般也采用下图所示结构。下图中的OPM将3.3的高压预调制到1.96V以下（1.8+10%），以保护图中的Reference, Error Amp，请问谁做过类似的电路分享一下图中OPM应该怎么设计，谢谢各位了。
QQ截图20180629111807.png