请教关于电平转换的知识

leonwenli · 发表于 2008-3-16 15:14:55

能解释一下图吗,谢谢

acrofox · 发表于 2008-3-16 22:07:04

左侧的反相器使用的是较低的电源电压，右侧反相器及那几个MOS管组成的电路是接较高的电源电压。
M0和M1的栅总是被一高（VDDLo）一低两个电平驱动，一ON一OFF。设M0－ON、M1－OFF，则M2的栅被M0拉到较低的电平，使M2－ON，这又会驱动M3的栅到高电平（VDDHi），使M3－OFF，M3－OFF会使M2的栅被M0进一步拉到地，M2完完全全地ON。
M2和M3之间的正反馈使输出不会是一个中间状态。

mydreamhouse · 发表于 2008-3-19 13:30:30

如果是做芯片用CHARGEPUMP 可以产生高压，如果是使用芯片，用LM317做一个控制分压比就可以了

brian_hwang · 发表于 2008-3-25 18:53:41

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fuyibin · 发表于 2008-3-25 21:37:05

我记得eeprom的编程电压比较高吧！
可能要5V以上吧，以前那种单片的eeprom好像要15V的擦写电压?有点忘记了
反正按照现在的工艺如.18um的电源电压1.8/3V好像不够
因该需要voltage booster电路才能完成
典型的有charge pump电路，dickson升压电路
哦，偶最近在弄一个LCD驱动电路，也是需要升压
如果需要把电压提升的很高，就需要多级升压才行
就知道这些皮毛而已啦

pplin2002 · 发表于 2009-6-29 15:50:57

不知楼主，还有没有在做EEPROM？
我现在做的EEPROM中的Charge Pump是全PMOS的16级链。

冰封的龙 · 发表于 2009-6-29 18:41:12

电平转换需要两组电源电压的

silverpuma · 发表于 2009-6-29 22:33:39

很显然，charge pump！

rylx · 发表于 2010-5-21 11:20:08

牛人很多啊，学习啦~~

goodsilicon · 发表于 2010-5-21 11:25:30

牛人很多啊，学习啦

brian_hwang brian_hwang 当前离线积分 145 头像被屏蔽	发表于 2008-3-25 18:53:41 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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