问一个关于版图的问题

wwjghcy · 发表于 2007-8-21 14:48:24

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关于版图器件隔离的问题，通常有两种方法，一种是LOCOS隔离，一种是STI隔离，请问这两种方法各有什么优缺点呢？从版图的截面结构来看，有什么区别呢？

bebe00 · 发表于 2007-8-22 13:58:56

LOCOS是用Field Oxide来做隔离，STI是深槽隔离。
LOCOS用SiN+SiO2等工艺制作，STI要深槽刻蚀+Oxide+Poly等工艺来完成。
LOCOS占面积大大，STI面积小，但工艺复杂。
从剖面来看看：LOCOS象个鸟嘴，而STI是个槽结构，然后用SiO2+Poly填充。
先进制程多用STI工艺，面积小，另外可以做高电阻等……

[ 本帖最后由 bebe00 于 2007-8-22 14:07 编辑 ]

mousemao · 发表于 2007-8-22 14:30:29

学习了！！！！！

meowy · 发表于 2007-8-23 22:46:09

沒想到這裡也有討論 IC fabraication的問題

wwjghcy · 发表于 2007-8-26 23:00:29

to bebe00
请问有没有关于这方面的文档啊，想学习学习，特别是关于SOI方面，本人现在在学习这方面的知识，有需要。
wwjghcy@163.com

ewdgch · 发表于 2007-8-27 01:42:09

STI更常见

xieji5200 · 发表于 2009-9-22 10:28:51

学习了，刚想发问，直接看见答案了

tianruo · 发表于 2009-9-22 16:25:15

隔离效果显然STI啊。比较LOCOS是多少年前的技术啦。

STI深，占用面积小。

a593680831 · 发表于 2018-9-19 14:46:07

回复 5# wwjghcy
你好，有关于SOI方面的资料吗？

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