请教大家，有耗尽型MOS电容吗？

张sir · 发表于 2018-4-17 15:36:10

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我用上华的0.5um工艺仿真了耗尽NMOS电容特性，发现它的电容值和增强管NMOS电容在栅极电压大于阈值电压时候的电容大小一样。
当增加管NMOS电容的栅极电压小于700mV以后，增加管MOS电容就小于耗尽NMOS电容值了。
这只是仿真，我也知道增加管NMOS电容的特性，但是没有查到有具体实例用耗尽管做NMOS电容的，请问有谁知道吗？

kidd_han · 发表于 2018-4-17 17:09:55

特性是一样的，在小于vt后耗尽型的容值也会变小。只是它的阈值是负的，而不是700mV。所以基本上两端电压高于0，容值就不会变小。

semico_ljj · 发表于 2018-4-18 16:39:02

回复 1# 张sir

你想用在哪里？

张sir · 发表于 2018-4-19 16:24:41

回复 3# semico_ljj

用在电压比较低的地方比如100mv~200mv来稳压用。比如并联在基准分压电阻旁边，或者差分对为PMOS的比较器输入端等等。就是电压比较低，小于普通NMOS电容阈值的地方。

hehuachangkai · 发表于 2018-4-19 16:39:50

只要注意寄生bjt各种状态不形成，完全可以用啊。cv特性曲线，楼主知道吧，本身两者大小就基本一样

semico_ljj · 发表于 2018-4-20 10:42:24

回复 4# 张sir

那确实要用这类CapNMos

semico_ljj · 发表于 2018-4-20 10:43:03

回复 1# 张sir

CSMC工艺提供这这个器件的

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