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查看: 5775|回复: 7

[求助] SRAM预充电是所有bitline都预充还是只有部分预充?

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发表于 2018-4-8 20:01:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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比如一个256word*128bit的阵列,8位进行存取。每个cell连两条bitline,在读数据的时候是:1)所有128*2条bitline都预充,然后再用选择器选出8个数据来
2)只有被选中的8*2条bitline进行预充,剩下的所有bitline都不进行预充
是以上两种情况的哪种呢?
另外SRAM的动态功耗主要产生于哪部分呢?是bitline的预充电、灵敏放大器、字线驱动还是解码器部分呢?我感觉应该是bitline吧,因为一条bitline上挂载了太多的单元,负载比较大?
发表于 2018-4-9 09:33:45 | 显示全部楼层
都做precharge,只不过没读的那部分已经到1了,没有precharge动作而已吧。动态功耗主要wordline和bitline吧。。
发表于 2018-4-9 11:15:37 | 显示全部楼层
在进行读操作或者写操作之前,都要进行precharge,以防漏电。动态功耗除了wordline  bl,cell和precharge电路也会消耗功耗,你可以保存电流看一下占的比例
 楼主| 发表于 2018-4-9 18:45:52 | 显示全部楼层
回复 2# hehuachangkai


   都做precharge的话,没有被多路选择器选到的那些bitline应该也是会每次都耗电的吧,因为wordline被选中了,对于这条wordline上的所有bitcell都会进行读操作,而标准sram单元是差分结构,每次读一定会有一条bitline放电,下次预充就会再次被充到高电平。   我也觉得主要的功耗应该是在wordline和bitline上的,但是有人说主要发生在灵敏放大器上,因为bitline可以不用满摆幅,只要有细微的电压差比如一二百毫伏,能被灵敏放大器捕获到然后进行翻转就可以,因此满摆幅翻转的灵敏放大器是主要的动态功耗来源。可是显然灵敏放大器带的负载电容比bitline要小很多呀,所以就很纠结
发表于 2018-4-10 21:19:13 | 显示全部楼层
关键是时间,部分预充应该省电,但需要知道读取地址才能开始预充,影响access time
发表于 2018-4-12 21:25:37 | 显示全部楼层
楼主,给sram供电的的ldo您是怎么设计的?
 楼主| 发表于 2018-4-17 11:49:47 | 显示全部楼层
回复 6# wjx197733


   不好意思我不研究那部分所以不清楚
 楼主| 发表于 2018-4-17 11:52:13 | 显示全部楼层
回复 5# pipiw


   嗯很有道理!
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