关于R+C+CC中的C

小小L · 发表于 2018-3-10 14:22:25

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各位前辈，我的宽带LNA在提参时发现只提R的话S11在4GHz会从-17dB恶化到-15dB左右，而提R+C的话S11会从-17dB恶化到-11dB，提R+C+CC的话和提R+C差不多，好像S11受C寄生的影响比较大，这个C到底是什么东西，又该如何进行优化呢？而且其他版本的电路后仿也出现这种问题，有的前仿S11达到-22dB，后仿就到了-13dB，电路中也没有电感，面积也很小，很是头疼啊，求大神指教啊！

firewolf223 · 发表于 2018-3-12 08:44:09

C 和CC 区别不大的。
C 是把所有电容等效到gnd
CC 是相互间的电容。
比如你有两根平行的M1 A 和B
C的话是把和A有关的电容全部等效到A到地的电容仿真的时候A和B 分开计算
CC 的话就会一起计算，其实不影响仿真结果，但是vendor 说CC更精确，但是要花很久的runtime
你说的这个问题大部分还是电路设计的问题，和后仿关系不大。

note30933 · 发表于 2018-3-12 10:13:57

楼上说的 C & CC是正确的
但是C & CC与版图有关 , 建议把critical path做shielding

小小L · 发表于 2018-3-12 15:32:07

回复 2# firewolf223

差不多明白了，谢谢！看来还是版图画得太烂了

小小L · 发表于 2018-3-12 15:33:39

回复 3# note30933

您好，关键路径做shielding会改善我的S11么？难道不会引入更大的寄生电容么？请赐教。

firewolf223 · 发表于 2018-3-12 15:42:47

回复 4# 小小L

先按照那个哥们说的加shielding ，这个是需要连接到固定电位的，所以会改善寄生
但是还是要根据实际情况去debug

note30933 · 发表于 2018-3-12 17:00:20

楼上是正确的

note30933 · 发表于 2018-3-12 17:02:50

shielding要画在下层金属 , 如果path是金属层3, 那shielding是金属层2

小小L · 发表于 2018-3-12 17:20:58

回复 8# note30933

不加shielding，本来M3到衬底距离很远，但加了接固定电位的M2在M3下方的话，相当于对交流地的距离更近了吧。。。这样不是增大了对地寄生电容么，S11岂不是恶化得更多？不知道我这样理解对不对，没加过屏蔽层也不太清楚具体怎么加，比如说屏蔽线的宽度和长度什么的，谢谢指点！

note30933 · 发表于 2018-3-13 08:46:48

参考这篇文章
https://www.design-reuse.com/art ... nels-reduction.html

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