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查看: 10729|回复: 14

[求助] 关于R+C+CC中的C

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发表于 2018-3-10 14:22:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位前辈,我的宽带LNA在提参时发现只提R的话S11在4GHz会从-17dB恶化到-15dB左右,而提R+C的话S11会从-17dB恶化到-11dB,提R+C+CC的话和提R+C差不多,好像S11受C寄生的影响比较大,这个C到底是什么东西,又该如何进行优化呢?而且其他版本的电路后仿也出现这种问题,有的前仿S11达到-22dB,后仿就到了-13dB,电路中也没有电感,面积也很小,很是头疼啊,求大神指教啊!
发表于 2018-3-12 08:44:09 | 显示全部楼层
C 和CC 区别不大的。
C 是把所有电容等效到gnd
CC 是相互间的电容。
比如你有两根平行的M1 A 和B
C的话是把和A有关的电容全部等效到A到地的电容 仿真的时候A和B 分开计算
CC 的话就会一起计算 , 其实不影响仿真结果,但是vendor 说CC更精确,但是要花很久的runtime
你说的这个问题大部分还是电路设计的问题,和后仿关系不大。
发表于 2018-3-12 10:13:57 | 显示全部楼层
楼上说的 C & CC是正确的
但是C & CC与版图有关 , 建议把critical path做shielding
 楼主| 发表于 2018-3-12 15:32:07 | 显示全部楼层
回复 2# firewolf223


差不多明白了,谢谢!看来还是版图画得太烂了
 楼主| 发表于 2018-3-12 15:33:39 | 显示全部楼层
回复 3# note30933

您好,关键路径做shielding会改善我的S11么?难道不会引入更大的寄生电容么?请赐教。
发表于 2018-3-12 15:42:47 | 显示全部楼层
回复 4# 小小L


    先按照那个哥们说的加shielding ,这个是需要连接到固定电位的,所以会改善寄生
但是还是要根据实际情况去debug
发表于 2018-3-12 17:00:20 | 显示全部楼层
楼上是正确的
发表于 2018-3-12 17:02:50 | 显示全部楼层
shielding要画在下层金属 , 如果path是金属层3, 那shielding是金属层2
 楼主| 发表于 2018-3-12 17:20:58 | 显示全部楼层
回复 8# note30933

不加shielding,本来M3到衬底距离很远,但加了接固定电位的M2在M3下方的话,相当于对交流地的距离更近了吧。。。这样不是增大了对地寄生电容么,S11岂不是恶化得更多?不知道我这样理解对不对,没加过屏蔽层也不太清楚具体怎么加,比如说屏蔽线的宽度和长度什么的,谢谢指点!
发表于 2018-3-13 08:46:48 | 显示全部楼层
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