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[求助] ESD ggnmos的gate接法问题

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发表于 2018-2-22 16:01:50 | 显示全部楼层 |阅读模式

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以前设计电路时没有注意到ESD中的ggnmos的接发。现在发现有很多种方法,而且使用得很普遍,有时候在同一颗芯片中,不同的pin使用不同的接发。求大神讲解下一下三种的不同。另外的问题就是对于第四种接法,有时候用在IO中,为什么需要两个ggnmos做cascode呢?这样接比起一个等效管子的好处是什么?
3种esd的接法.png



谢谢!
发表于 2018-3-17 10:52:32 | 显示全部楼层
第2和 第 3种 没见过,第四种 应该是高压的 PIN采用多个esd串连
2和3中若vdd没有电压,会不会有问题?
发表于 2018-3-26 20:27:17 | 显示全部楼层
1,2,3是后者用mos管替代前者电阻部分,因为电阻只是简单的直流特性,而mos管寄生电容,可以交流耦合。4是两级ESD.
发表于 2018-3-29 09:13:54 | 显示全部楼层
4一般使用在使用端口需要耐高压的场合,如在端口需要耐5V时,这时需要使用两个3.3V的管子串联
发表于 2018-6-28 20:41:00 | 显示全部楼层
有道理
发表于 2018-6-30 21:09:36 | 显示全部楼层
用在IO的CASCODE一般是用在HV TOLERANCE的IO的,你如果看上面P管的WELL,就会发现WELL不是直接接VDD的,是通过偏置电路偏置电压的。

CASCODE严格来说并不比一个N的更好,而且这个时候因为上面P的WELL等于是FLOAT的,NMOS这个时候一定要打ESD IMPLANT,也就是一定需要这个NMOS工作在SNAPBACK的情况。而普通的IO,基本就是DIODE的方式工作。
发表于 2018-7-8 13:12:39 | 显示全部楼层
niubility
发表于 2020-1-25 13:23:23 | 显示全部楼层
2 and 3 options are soft tied GGNMOS, especially,  for the CDM event protection.
发表于 2020-2-6 12:03:25 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2020-3-23 09:44:32 | 显示全部楼层
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