ESD ggnmos的gate接法问题

moonguard1 · 发表于 2018-2-22 16:01:50

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以前设计电路时没有注意到ESD中的ggnmos的接发。现在发现有很多种方法，而且使用得很普遍，有时候在同一颗芯片中，不同的pin使用不同的接发。求大神讲解下一下三种的不同。另外的问题就是对于第四种接法，有时候用在IO中，为什么需要两个ggnmos做cascode呢？这样接比起一个等效管子的好处是什么？
3种esd的接法.png

谢谢！

newjie · 发表于 2018-3-17 10:52:32

第2和第 3种没见过，第四种应该是高压的 PIN采用多个esd串连
2和3中若vdd没有电压，会不会有问题？

powerboy711 · 发表于 2018-3-26 20:27:17

1，2，3是后者用mos管替代前者电阻部分，因为电阻只是简单的直流特性，而mos管寄生电容，可以交流耦合。4是两级ESD.

lianaissmec · 发表于 2018-3-29 09:13:54

4一般使用在使用端口需要耐高压的场合，如在端口需要耐5V时，这时需要使用两个3.3V的管子串联

fanbaoxia · 发表于 2018-6-28 20:41:00

有道理

andyfan · 发表于 2018-6-30 21:09:36

用在IO的CASCODE一般是用在HV TOLERANCE的IO的，你如果看上面P管的WELL，就会发现WELL不是直接接VDD的，是通过偏置电路偏置电压的。

CASCODE严格来说并不比一个N的更好，而且这个时候因为上面P的WELL等于是FLOAT的，NMOS这个时候一定要打ESD IMPLANT，也就是一定需要这个NMOS工作在SNAPBACK的情况。而普通的IO，基本就是DIODE的方式工作。

enian · 发表于 2018-7-8 13:12:39

niubility

zouliang1127 · 发表于 2020-1-25 13:23:23

2 and 3 options are soft tied GGNMOS, especially, for the CDM event protection.

scorpius_ice · 发表于 2020-2-6 12:03:25

学习了

LUCK168168 · 发表于 2020-3-23 09:44:32

THANKS FOR SHAER

[求助] ESD ggnmos的gate接法问题

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