ESD测试正负路径问题

Eve_Cat · 发表于 2017-11-30 15:54:30

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最近做了一个产品的ESD测试，发现VDD对VSS打正pass 了4000V，VSS对VDD打负压却fail在 2000V。
这两个测试从电压上看，所加电压是一样的，电流路径方向也应该是一样的，为啥差别这么大呢？求大神解答

QQ截图20171130155404.png

powerboy711 · 发表于 2018-1-19 20:38:36

我觉得应该是all other PIN TO VSS- 和ALL OTHER PIN TO VDD+结果才应该是一样的。你所示的两个电流应该是相反的，个人理解，不一定对。

OLED721 · 发表于 2018-1-20 22:02:47

对哦，路径好像不一样，不如VDD和VSS之间用的是NMOS钳位，VDD对VSS打负，通过寄生N+/P衬底泄放，VSS对VDD打负可是击穿吧，貌似和你描述的问题不一样，可是你的表是这样啊

mixasic · 发表于 2020-11-12 15:05:55

楼主定位出问题的原因了吗？最近遇到了类似的问题

hwynhh@163.com · 发表于 2021-1-14 16:19:53

mixasic 发表于 2020-11-12 15:05
楼主定位出问题的原因了吗？最近遇到了类似的问题

层主定位出问题的原因了吗？最近遇到了类似的问题

Eve_Cat · 发表于 2022-6-24 17:23:32

hwynhh@163.com 发表于 2021-1-14 16:19
层主定位出问题的原因了吗？最近遇到了类似的问题

木有，比较奇怪

Eve_Cat · 发表于 2022-6-24 17:24:43

OLED721 发表于 2018-1-20 22:02
对哦，路径好像不一样，不如VDD和VSS之间用的是NMOS钳位，VDD对VSS打负，通过寄生N+/P衬底泄放，VSS对VDD打 ...

哦，截图和描述没匹配上，VDD那个截成-了

sujh0755 · 发表于 2022-6-29 09:56:20

我也遇到类似情况。

D端正脉冲，有漏电走body电阻，寄生NPN的VB被抬高，E端正偏，C端反偏，进入放大状态，触发snapback曲线泄放电流。
S端负脉冲，寄生NPN看出是2个背靠背的diode，对GND的diode正向导通，另一个diode反向击穿才能放电，区别是body电阻无电流，无放大效果，单纯靠diode的反偏雪崩击穿。
不知道我理解的对不对。

catherine_xxp · 发表于 2022-9-27 11:46:00

hwynhh@163.com 发表于 2021-1-14 16:19
层主定位出问题的原因了吗？最近遇到了类似的问题

可以看看是不是Pbuffer损坏了。

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