射频小学生一枚,目前在做SPDT,用的SOI工艺,遇到以下一些问题,想请教各位大大:指标是(1GHz:IL<0.9,ISO>36,p1db>33dBm,switching time ~10ns)1)对于偏置的选择,目前依旧采用0和2.5V的偏置,通过加大个数来增加线性度,能到36左右,用了10个管子,试过用负偏压的,很快能到指标,但是对于负偏压的产生(电荷泵生成)不了解,也不知道该采用何种电荷泵,势必会牺牲IL来满足转换时间,指标比较高,故不清楚;有试过用相对负压(在漏级接大电阻接偏置,线性度满足,其余指标很差);
2)目前对于转换时间的仿真:在TX端用了正弦大信号,给控制信号理想切换状态,观察输出,大概在140ns附近,若要再减小,还是要减小串联管子的W和Rg来形成小的转换时间,但大幅度牺牲IL,首先想明确对于转换时间的仿真是否合理,其次想知道改进的方向和建议,不想只是单纯在指标外调参数。
项目比较赶时间,希望有大大能够帮助我,信元也没多少,拜托大家了,可以红包补偿的~