silvaco超结仿真击穿电压

Sirius_dyq

在基础超结的基础上，把P区的Si材料换成SiC， 然后调整P区的浓度，使得Na大于Nd,但是我一直不能收敛，我用的是牛顿算法，我想的是网格问题，但是调整了好久都没有收敛，我想的是可能是没有在击穿点有网格线，但是我在猜测的击穿点处把网格加密了，还是不行。请教有没有大神
附上我的网格语句
go atlas

mesh
x.mesh loc= 0.0   spac=0.1
x.mesh loc= 3.8   spac=0.1
x.mesh loc= 3.94   spac=0.02
x.mesh loc= 4.08   spac=0.1
x.mesh loc= 7.88   spac=0.1

y.mesh loc=-0.5 spac=0.1
y.mesh loc=0.0    spac=0.1
y.mesh loc=10    spac=1
y.mesh loc=20    spac=0.1
y.mesh loc=29.7    spac=1
y.mesh loc=39.4    spac=0.1
y.mesh loc=39.9   spac=0.1

下面是我的网格图。

这是电场分布图