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[原创] 模块版图绘制及工艺选择问题

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发表于 2017-9-26 21:01:47 | 显示全部楼层 |阅读模式

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设计一款电路将正转负电荷泵和负压LDO集成在一起,正转负电荷泵衬底电压是GND,而负压LDO衬底是-5V,在绘制版图时对如何处理两个子电路呢?

可选工艺是MXIC 和TSMC ;MXIC有 NWELL 、PWELL、 NBL层
TSMC有NWELL 、PWELL、 NBL、HVNWELL、DNW、DPW 和iso_ring
有一个想法是:负压LDO整块放到一个阱中与衬底隔离开,整块LDO的衬底仍设定为-5V,芯片衬底电位定为GND;这样对工艺有什么具体要求?选择哪个合适呢?
发表于 2017-9-27 08:37:05 | 显示全部楼层
回复 1# ep_lq


   用DNWELL,做区分。芯片底部还是用GND,不要用负压
发表于 2017-9-27 09:38:37 | 显示全部楼层
回复 2# lwq_119 请教一个问题,如果我一个反相器 时0到-3.3电压的,PMOS 源和衬底都接GND NMOS源和衬底接-3.3 这样PMOS版图如何处理呢,TSMC工艺40LP中没有Pmos的DNW 器件。不胜感激
发表于 2017-9-27 10:11:36 | 显示全部楼层
回复 2# lwq_119

请教前辈一个问题,我需要做一个在0到-3.3V电源的反相器,PMOS 源端和衬底接GND,NMOS源端和衬底接-3.3.工艺是TSMC40 LP 只有NMOS有dnw管子。pmos没有。能否可以在版图上实现呢?

    layout.jpg
这张图 DNW 和NW一个0 一个3.3会短路啊。请教了
发表于 2017-9-27 11:03:44 | 显示全部楼层
回复 4# rocket_wang


   这图是你画的还是desgin rule 上给的?
 楼主| 发表于 2017-9-27 12:42:48 | 显示全部楼层
TSMC .25um 工艺有DNW ,把整块LDO子电路(内有MOS R C BJT )放在DNWLL 上,这涉及到LDO 电路器件类型,有两个想法:1. 选择时考虑低压管,所有器件不必有DNW层。2.所有器件必须有DNW层。这关系到LVS 可否顺利通过。请问大师,怎末判断呢?
 楼主| 发表于 2017-9-27 12:45:51 | 显示全部楼层
这个图上接-3.3V的是哪层呀,是工艺自带的管吗
 楼主| 发表于 2017-9-27 13:45:46 | 显示全部楼层
回复 2# lwq_119
用DNW 做隔离,有一点请教您:
DNW上LDO 电路括块包括MOS R C BJT 这几类器件,其中哪些类器件需要选择有DNW  层的?是不是必须选用带DNW 的器件呢?
发表于 2017-9-27 16:23:55 | 显示全部楼层
回复 8# ep_lq


   正负压的涉及到的器件都要用DNW
 楼主| 发表于 2017-9-27 17:31:29 | 显示全部楼层
回复 9# lwq_119
1.DNW 上做的负压LDO的所有器件,PMOS的S端口和B端口接高电位GND,D端口是负压,NMOS 是负压,电阻和电容电位也是负压,负压基准的BJT也是负压,这些都需要用带DNW 层的管子,我这样理解对不?
2.NBL 和DNW 两者有什麼区别呢?这里能用NBL 层隔离整体NLDO 吗?求大师解惑
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