设为首页收藏本站
在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

手机号码，快捷登录

手机号码，快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
创芯云服务  : 创芯大讲堂  | 创芯人才网 | 数字IC职业培训  EETOP诚邀线上IC培训讲师!
搜帖子
EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog Layout（版图） › Layout讨论区 › NMOS做ESD管时它的源漏电流有区别吗？
返回列表 发新帖
查看: 2778|回复: 2

[求助] NMOS做ESD管时它的源漏电流有区别吗？

[复制链接]
602362204
发表于 2017-9-25 09:55:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册

x
求解。
回复

举报

存在感
发表于 2017-9-25 11:02:28 | 显示全部楼层
有区别
回复 支持 反对

举报

Snowy2016
发表于 2017-9-28 19:26:04 | 显示全部楼层
是有区别的，ESD泄放的路径不仅仅是S/D之间，还有P/N寄生的junction——二极管順偏或者反相击穿，以及三极管、三极管和电阻等构成的SCR结构等。
回复 支持 反对

举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-8 07:40 , Processed in 0.015094 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表