tsmc18工艺能否用于5V电源设计

layout7 · 发表于 2017-8-25 09:16:10

1. 电阻的作用可能如下 a. 如果ENB是PAD，那么有ESD保护作用； b. 只用于滤波，和INV的Cgtol形成RC滤波；所以你要看看是什么情况； c. inv后的电阻对于m3的控制有一个缓开启或者缓关闭的作用
2. 防过压处理中是要避免使用电源到地的INV的，使用单N管的开关，用低的core电压控制。对于要关断的P管，通常有两种做法：a. 想办法转换成N的开关，这种做法需要一点点功耗，通常会控制到百nA级； b. 构建一种特殊的level shifit，完成 0~3.3 到 1.7~5的电压转换。

mutl1912 · 发表于 2017-9-4 10:10:52

回复 5# layout7
多謝！請問跑仿真時biascheck在哪裡設置呢？

mutl1912 · 发表于 2017-9-4 10:15:32

回复 11# layout7

多謝！經了解，normal work mode可以通過疊加MOSFET來分壓使每個MOSFET的bias在3.3V以內。
比較難做的是power down mode（disable），有人說可以通過在相應節點反偏兩個串聯的diode，不過這種方法可能current leakage會帶來問題。

18971802333 · 发表于 2017-9-4 10:18:12

学习了

pqfranky · 发表于 2017-9-4 16:00:54

andy2000a · 发表于 2017-10-17 09:35:40

可以用于5V ->3.3V LDO 设计，但是是从设计结构上保证3.3V device 的任意两端之间的电压不超过3.63V，不能 ...
layout7 发表于 2017-8-22 16:41

登录/注册后可看大图

biaschk
pmos v(nb/ne-ng)
=> 一般MOS 只有 d g s 做多 bulk . 但是好像其他MODEL 会出现这

mutl1912 · 发表于 2017-10-24 20:51:32

回复 1# mingyuanyu

1.8V/3.3V process，MOSFET normal bias voltage是3.3V，一般來說不能超過1.1*Vnormal。設計時只要通過一定的方法保證MOSFET偏置不超過這個值就沒有問題。同時，因為需要5V的輸入電源，就必須要使用該process下的5V tolerant I/O PAD。

Desingman · 发表于 2018-1-8 16:57:03

大神在哪里

刘兴国 · 发表于 2021-12-7 14:12:59

请问有详细的方法吗？

SEU—arrow · 发表于 2024-3-27 14:19:07

请问楼主后期如何解决的，使用3.3V的MOS管搭建可以耐压5V输入电压的LDO，多谢！

tsmc18工艺能否用于5V电源设计

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