bandgap里的PNP管类型根据哪些原则选？

typhoon222 · 发表于 2017-7-15 16:39:15

用于bandgap的PNP管，这三种PNP根据什么选？
微信截图_20170715164222.png

hankwu00 · 发表于 2017-7-15 16:39:16

我會去Sweep VE (VB=VC=0V)
Print Beta stable range VS IE range
看哪一個 bate stable range 大並且 Beta 變化量小(corner), Beta 會影響 BG Offset
也可順道得知IE電流設計值

rocket_wang · 发表于 2017-7-17 11:00:49

显然2*2 的面积最小，相同T下 VBE较高， VBE/IE 的拐角斜率更大，在低功耗设计时候，delta VBE变化较大，对 opa offset 更敏感。所以一般折中选择5*5的。可以仿真看出。希望能够帮助你。

typhoon222 · 发表于 2017-7-17 16:50:13

显然2*2 的面积最小，相同T下 VBE较高， VBE/IE 的拐角斜率更大，在低功耗设计时候，delta VBE变化较大，对 ...
rocket_wang 发表于 2017-7-17 11:00

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VBE/IE:IE是什么？

typhoon222 · 发表于 2017-7-18 16:44:17

显然2*2 的面积最小，相同T下 VBE较高， VBE/IE 的拐角斜率更大，在低功耗设计时候，delta VBE变化较大，对 ...
rocket_wang 发表于 2017-7-17 11:00

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VBE较高有什么好处？

azhen1987 · 发表于 2018-2-22 17:16:00

VBE较大，对流过其电流的变化，就不那么敏感。

nanke · 发表于 2018-2-22 18:27:13

（1）只考虑一阶效应dIE/dVBE仅与IE有关，二阶效应和cell面积间的关系要仿真看看
IE=Is*exp(VBE/VT), dIE/dVBE≈IE/VT，
从常见的bandgap看dVBE/dIE大一点会有一丁点好处，
但应该不是选择cell面积的参考因素。

（2）至于offset与dVBE/dT成正比，dVBE/dT不会推导，和cell面积间的关系也要仿真看看。
VOS,out=(dVBE/dT)/(dVT/dT) /ln(m)*VOS,OP

（3）面积小节约成本。面积小使Is小，相同电流时VBE更大，对于低压带隙基准不利但也应该容易克服。

看到这个帖子之前都是不动脑直接选最小尺寸。
有考虑过的说说你们怎么选的。

ee2010top · 发表于 2018-3-21 22:54:50

标记一下，学习学习

jojenwong · 发表于 2022-8-15 10:47:10

所以面积一般最小的PNP管吗，

neal2007 · 发表于 2022-12-8 18:00:23

hankwu00 发表于 2018-3-21 16:55
我會去Sweep VE (VB=VC=0V)
Print Beta stable range VS IE range
看哪一個 bate stable range 大並且 Bet ...

学习了，多谢

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