运放型bandgap的启动问题（低电压结构）

Luxuchang

回复 10# tf001


   把M10的栅压拉高这种启动很有用的，我已经在全工艺角下可以启动了，而且挺快的。

andy2000a

（1）如图所示，利用运放虚短虚断原理，可以求得带隙电压为：Vref=R2/R1 (Vbe+R1/R0 VTlnN)，在DC情况下，我 ...
Luxuchang 发表于 2017-7-13 21:03

                               
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    运放 gain 很高 没有起动电路 bandgap 还是会动作 , 但是 流片是有 > 20% yield loss-> 前人设计失误 .
hspice 完全模拟都会动作 , 量产也会动.
但是流片大量 时发现出问题 .
你其实可以拿 vref  去控制 NMOS ,  
vref < vth 下 start up 动作
当 vref > Vth 关掉 start up . 不过某些情况下可能会 "ring" 就是 start-up circuit 开开关关 .

a495136580

你好，请问一下这种结构的环路增益是不是很低呢

zdl1986

Luxuchang 发表于 2017-7-17 14:33
回复 10# tf001

请问你的启动电路最终是怎么做的呢？

lightnight

andy2000a 发表于 2017-7-17 14:47
运放 gain 很高 没有起动电路 bandgap 还是会动作 , 但是 流片是有 > 20% yield loss-> 前人设计失 ...

我也遇到这个问题了，我就是用的您说的这个方法，能看到低温下很多情况会震起来，请教大神有没有啥方案，我试过加迟滞，不过还是会震

andy2000a

lightnight 发表于 2023-8-15 19:17
我也遇到这个问题了，我就是用的您说的这个方法，能看到低温下很多情况会震起来，请教大神有没有啥方案， ...

Bandgap 要 加 start up 电路 ..如果你是解 bug .

以前CHIP decap 后fib 量出 vbg , chip 丢烤箱 -40 冰   > 3天  ..

去证明bandgap fail

至于仿真

当时“某点加leakage” , -60 度  (spice model 一般指 -40 )  corner 会看 爬得很慢很慢 .  

加leakage , 是请 FAB 切 cross section 怀疑某点 因process & layout  可能有leakage