ESD测试案例分析

doctor1on1

Hi all   目前有个项目，有两种封装形式，分别是DIP32和LCC32，使用相同的die。ESD测试发现LCC32可以达到2000V，极限约2500V；但是DIP32只能达到1900V，极限2000V（有些过，有些不过），如下：

DIP32测试结果

ESD电压	编号	曲线	漏电（<1uA）	功能	其他参数
1900V	1#、2#、3#、4#	4只正常	4只正常	4只正常	4只正常
2000V	2#	正常	正常	正常	正常
	4#	正常	正常	正常	正常
	1#	偏移	正常	正常	正常
	3#	偏移	超标	正常	正常

提取了键合丝和管壳的RLC参数，因为不好仿真，所以分析没有提出有价值的信息和方向。
请问是否有相同案例的大神如何解决的？或者有相关经验的大神能否给予一些后续分析改良建议？

ksj116

裸片一样，只是package不一样，那么想来，HBM好的的肯定键合丝和管壳的R参数比较大，导致ＨＢＭ level好点。再一个，你片上的ESD保护涉及的不够好。

powerboy711

LCC32 bonding线短