ff工艺角仿真结果比tt工艺角差

中英双字幕 · 发表于 2017-5-30 21:23:38

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电路仿真的几个工艺角ss,tt,ff个人理解就是对应晶体管的速度慢，中等和快。仿真出来的结果为什么ss是最差的，ff其次，而tt是最好的，希望有大神可以详细解释一下，谢谢！
PS：有关于工艺角仿真的相关资料推荐吗？对于这一块的理解一直不是很深入，很想了解一下。

adsun · 发表于 2017-5-31 04:50:41

一般情况下ff工艺的速度是最快的，但其他指标比如gain,linearity就不一定了。你如果确定V,T还有负载都没有变，只是切换ss,tt,ff，ff速度比tt慢可能要检查你电路中管子的工作点，看看是不是有偏离很大情况出现

中英双字幕 · 发表于 2017-5-31 13:36:06

回复 2# adsun 不是速度变慢，我仿的是SAR ADC，ff工艺角下的ENOB要比tt下差一点。

中英双字幕 · 发表于 2017-5-31 13:36:56

回复 2# adsun
不好意思，是我提问的时候没有说清楚。。。

Rhys · 发表于 2021-3-22 23:37:54

楼主 ss,tt,ff 分别是啥意思呀

Yi_Huo · 发表于 2021-5-26 10:55:02

中英双字幕发表于 2017-5-31 13:36
回复 2# adsun
不好意思，是我提问的时候没有说清楚。。。

请问楼主现在知道了吗，我也是SAR ADC发现ff比tt小

emo6677 · 发表于 2021-5-26 16:03:35

Yi_Huo 发表于 2021-5-26 10:55
请问楼主现在知道了吗，我也是SAR ADC发现ff比tt小

如果是异步的SAR，ff会导致建立时间变短，建立不完全。可以尝试加大RVB的功率。

Yi_Huo · 发表于 2021-5-29 21:06:13

emo6677 发表于 2021-5-26 16:03
如果是异步的SAR，ff会导致建立时间变短，建立不完全。可以尝试加大RVB的功率。
...

奥奥，明白了！谢谢前辈指点！我确实采用的是异步时序控制逻辑，请问一下RVB是什么呀

emo6677 · 发表于 2021-5-31 11:29:01

Yi_Huo 发表于 2021-5-29 21:06
奥奥，明白了！谢谢前辈指点！我确实采用的是异步时序控制逻辑，请问一下RVB是什么呀
...

reference buffer。你如果用理想的电压源的话，就把延迟时间加长。

asdsda · 发表于 2021-6-1 13:11:38

看看电容是否漏电，仿真电容阵列就知道了

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