关于ESD问题

zhandch01 · 发表于 2017-5-10 09:07:47

请问，I/O Pad 的ESD，可以只用N-type diode MOS接法么？还是必须P和N一起用？
gnd的pad是不是也一定需要ESD？

谢谢

kekexingren · 发表于 2017-5-10 09:07:48

几个问题分开来看：地PAD本身不用ESD啊，本身就是其他PAD到它的引流，如果它上面还出现带阻抗器件并不适合。如果一个芯片上有多个GND，GND之间可以用背靠背PN结做噪声隔离和引流。比如我们公司的产品数字地到模拟地做了一组PN结作为泄放通路，ESD测试结果有略微改善，但影响不大。

另外NMOS作为衔接I/O到地轨的ESD通路，一般是源、栅、衬底都接地，称为ggNMOS。但是如果单纯普通的NMOS的话太容易因为电位浮动而误触发导通，因而一般在源端加一个salicide的电阻，也起镇流作用，保证一组ggNMOS同时开启，承受更大的ESD冲击。

到电源轨理论上也可以用ggPMOS，但一般用得较少，用一个反向二极管clamp即可。但综合来说ESD策略分为I/O附近密集clamp，电源地之间简单clamp和电源地之间用一个总的clamp，I/O处只做简单PN结来clamp两种策略，还是多看看资料和实际测试结果

owen0126 · 发表于 2017-5-10 11:33:45

先用代工厂推荐的ESD结构流片，等成品ESD测试后再看是否需要修改结构。I/O也可以接上拉的PESD结构的。

scy8080 · 发表于 2017-5-10 15:33:14

通常情况不是N-type diode MOS接法,而是gate/source/bulk均接地的接法，可以仅用nmos器件到地，无对电源，但是这种情况会降低ESD性能，推荐旁边增加一个电源到地的CLAMP电路。

scy8080 · 发表于 2017-5-10 15:34:03

通常情况不是N-type diode MOS接法,而是gate/source/bulk均接地的接法，可以仅用nmos器件到地，无对电源，但是这种情况会降低ESD性能，推荐旁边增加一个电源到地的CLAMP电路。

zhandch01 · 发表于 2017-5-10 16:31:39

回复 4# scy8080

谢谢回复，gnd的pad是否一定需要ESD呢？

zhandch01 · 发表于 2017-5-11 09:20:45

回复 2# kekexingren

非常感谢您仔细的回答

inderjit · 发表于 2017-5-12 12:38:03

good one

inderjit · 发表于 2017-5-12 12:39:58

thanks to you

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