ESD求助

randysong

一输入输出端口I，最大电压为16V，挂载的ESD开启电压设计为18V，同时该端口通过一个二极管连接的NMOS器件连入内部（接法为：该端口接G/S，使用的PN结为D和B。另外，S端做了ESD的规则处理，D端未做ESD的规则处理），该NMOS的D/S击穿电压为19V。理论上来说ESD器件可以对该NMOS进行比较好的保护，但是在ESD的实际测试时发现，在1kV的时候，该NMOS器件已经被损坏。请问是什么原因导致出现这种现象？如果要提高该NMOS器件的ESD承受能力，要对该器件进行如何处理（将G悬浮会不会好一些）？

randysong

来个大神帮忙解惑啊

存在感

回复 1# randysong

请问什么是理论能保护你的Nmos.请说明你的ESD环路架构，说明你的打ESD  时是如何打法，以哪中测试模式来打。
这些没清楚之前 不好判断你的失效原因。
另外你的这么Nmos 是怎么接的 S G 短接？ B接gound ? D 接PAD和内部电路？
这个Nmos 的用意是什么？····不管你的用意 好像你的处理是错误的，为嘛是S端做ESD处理。


据个人猜测可能是你的环路结构不好，（这里成因好多种具体不好判断）导致ESD泄放通路不好导致你的这个Nmos 放电，但Nmos 自身电流能力又不够那么就烧了。
如果你的S/G短路后悬空 这里可能会发生latchup ,但不清楚你周边环境 这里只是怀疑。


总的来说 两个主要怀疑方向，一个是环路，一个是自身器件。

pinesong18

如果是gate损坏，检查length是否合理，再有考虑在gate上串个电阻；
如果是source/drain损坏，检查width是否合理，检查布线是否合理。
原因很多，得一点点排除。

3512596

先接一个 二极管 然后接nmos？ 二极管是esd nmos 是内部普通器件吗？

3512596

如果nmos是esd s端做esd处理 是几个意思？ d端接I/O pad的没处理吗？ 觉得 你这esd 姑且不如楼上说的 先不管测试模式 哪种esd 觉得你可能要重新描述下！