65nm下LNA管子最优宽度

听风漫步 · 发表于 2017-4-12 09:56:42

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源端电感负反馈结构LNA，依据Thmos.Lee理论，管子最优宽度估算公式Wopt=3/（2*ω0*Cox*L*Rs*Q）在tsmc65rf库下，设计工作频率为5.6GHz，则ω0=2*π*5.6*10E9；依据工艺文件tox=2.6*10E-9可得Cox=1.328*10E-2；
L=60*10E-9；Rs=50Ω；Q取4.5的情况下带入式子算出的Wopt不应该是237.79um吗？
为什么tsmc65rfPDK中给的RF LNA实例中管子宽度统统为2.5um*32=80um？

听风漫步 · 发表于 2017-4-12 19:27:34

附tsmc65rf库中的一份LNA设计实例的流程guide

听风漫步 · 发表于 2017-4-14 09:47:21

求不沉~~~

听风漫步 · 发表于 2017-5-11 13:43:58

公式Wopt=3/（2*ω0*Cox*L*Rs*Q）来自Thmos.Lee的经典论文A 1.5V, 1.5GHz CMOS Low Noise Amplifier，当时的工艺采用的是0.5um。
但随着L的降低，最优宽度会不断上升，2.4G频率时65nm工艺的宽度W甚至能到500多um，这显然不对啊，是不是这个公式不再适用于0.18um工艺以下了？
如果不适用了，那我要怎样选取合适的管子宽度呢？

听风漫步 · 发表于 2017-5-11 13:45:25

THMOS.LEE的论文

听风漫步 · 发表于 2017-5-18 09:43:27

看到两篇文章，一个说在65nm下管子工作在弱反型层，不知道是不是这个原因导致上面的公式不适用。

arshad · 发表于 2017-7-13 18:57:19

thank you for sharing

JoyShockley · 发表于 2017-7-13 22:46:44

回复 1# 听风漫步

你把两个参数，都带入仿真一下，不就知道了。计算只是一个start point，有个大概的印象。

优化就是扫描一遍W，要同时能在不同corner满足指标。并不以一定要最优值。

200um的管子很大了，各种寄生。

mooh2028 · 发表于 2017-11-16 17:43:23

wooooooooooooooooooooooooowww w

chenxiliang · 发表于 2017-11-16 18:31:49

这种TSMC的design flow怎么在pdk里面找到？

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