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[求助] 65nm下LNA管子最优宽度

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发表于 2017-4-12 09:56:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

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源端电感负反馈结构LNA,依据Thmos.Lee理论,管子最优宽度估算公式Wopt=3/(2*ω0*Cox*L*Rs*Q)在tsmc65rf库下,设计工作频率为5.6GHz,则ω0=2*π*5.6*10E9;依据工艺文件tox=2.6*10E-9可得Cox=1.328*10E-2;
L=60*10E-9;Rs=50Ω;Q取4.5的情况下带入式子算出的Wopt不应该是237.79um吗?
为什么tsmc65rfPDK中给的RF LNA实例中管子宽度统统为2.5um*32=80um?
 楼主| 发表于 2017-4-12 19:27:34 | 显示全部楼层
附tsmc65rf库中的一份LNA设计实例的流程guide

N65_PDK_rf_flow_guide_v0d1_IC61.pdf

3.1 MB, 下载次数: 332 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

 楼主| 发表于 2017-4-14 09:47:21 | 显示全部楼层
求不沉~~~
 楼主| 发表于 2017-5-11 13:43:58 | 显示全部楼层
公式Wopt=3/(2*ω0*Cox*L*Rs*Q)来自Thmos.Lee的经典论文A 1.5V, 1.5GHz CMOS Low Noise Amplifier,当时的工艺采用的是0.5um。
但随着L的降低,最优宽度会不断上升,2.4G频率时65nm工艺的宽度W甚至能到500多um,这显然不对啊,是不是这个公式不再适用于0.18um工艺以下了?
如果不适用了,那我要怎样选取合适的管子宽度呢?
 楼主| 发表于 2017-5-11 13:45:25 | 显示全部楼层
THMOS.LEE的论文

01[英]A 1.5V, 1.5GHz CMOS Low Noise Amplifier_Tomas lee_1997.pdf

429.55 KB, 下载次数: 67 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

 楼主| 发表于 2017-5-18 09:43:27 | 显示全部楼层
看到两篇文章,一个说在65nm下管子工作在弱反型层,不知道是不是这个原因导致上面的公式不适用。

04734846.pdf

1.19 MB, 下载次数: 50 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

A2_4GHzCMOSUltra_省略_nmCMOSTechnology_Min.pdf

361.51 KB, 下载次数: 44 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2017-7-13 18:57:19 | 显示全部楼层
thank you for sharing
发表于 2017-7-13 22:46:44 | 显示全部楼层
回复 1# 听风漫步


    你把两个参数,都带入仿真一下,不就知道了。计算只是一个start point,有个大概的印象。

    优化就是扫描一遍W,要同时能在不同corner满足指标。并不以一定要最优值。

    200um的管子很大了,各种寄生。
发表于 2017-11-16 17:43:23 | 显示全部楼层
wooooooooooooooooooooooooowww w
发表于 2017-11-16 18:31:49 | 显示全部楼层
这种TSMC的design flow怎么在pdk里面找到?
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