一篇paper的学习笔记，关于低功耗、低电压的bandgap电路

egil · 发表于 2019-3-13 18:55:07

学习学习

cadkl · 发表于 2019-4-18 20:36:14

下载下来看看

大大山 · 发表于 2019-4-18 22:34:24

good sharing

Nexusus · 发表于 2019-4-22 10:51:00

  感谢楼主把自己认真翻译仿真的结果分享出来，感觉这篇paper的思路很新颖啊。我想跟你讨论一下你在2.1中提出的3个问题。
  首先是你说2.1中的原理不是完全理解，我说一下我的理解。最左边current source用的是与电源无关的电流偏置，和拉扎维书上11章那个结构一模一样，只是paper中使用工作在线性区（线性区一定是强反型）的MOS管MR来充当电阻。而这个电阻的阻值就由中间的PTAT电压产生电路产生。PTAT电压产生电路即作者提出的电路，主要是产生PTAT压差，它的输入是由current source加二极管负载产生，这里可能默认这个电压随温度偏差不大，我没有进行详细计算了。假设这个电压不变，PTAT压差会使MR的栅压变化，进而改变线性区阻值。current source的电流与这个电阻的平方成反比，可能作者把整个MB栅压得温度非线性和MR阻值的温度非线性化简以后近似看作线性。这样的话产生的电流镜电流是PTAT的。
  然后是MR与MB尺寸相同导致工艺偏差影响变小，我这里的理解是因为电流和MR的阻值，即MR的栅压，即MB与MR的压差有关，因此如果MR与MB尺寸相同，版图上画在一排，这样偏差程度是一致的，对于其压差影响不大，不管怎么偏两个管子是一起偏的。
  最后是PTAT电流产生VBE的问题。因为VBE是随着Ic越大而越大的，所以如果电流是PTAT的，则VBE会随着温度越高有被偏置得电压越大的趋势，即有开口向上的趋势。而VBE本身负温度系数具有非线性，这个非线性使温度越高VBE低得越多，即曲线是开口向下的。这样的话PTAT电流反而可以减小VBE温度特性的非线性。实际上，更高阶的Ic电流温度系数是一种VBE温度特性非线性的补偿方法。