rf电阻的第三端接什么电位

王大炮 · 发表于 2017-4-5 09:42:33

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电路图中第三端接的应该是gnd。但说明文档给出的图显示，n+gardring是第三端，所以，版图上第三端接的不应该是vdd吗？这样才能形成反向pn结起到隔离作用。请问电路、版图的第三端究竟要接什么电位，恳请指点！

lovefly519 · 发表于 2017-4-5 09:44:04

回复 1# 王大炮

看线路要求接地也是可以的

piaox · 发表于 2017-4-5 10:05:16

电阻放在PW中，用P+ring 围起来，是不是可以？？

王大炮 · 发表于 2017-4-5 14:41:16

回复 2# lovefly519

请问是电路接地还是版图接地呢？原理是什么？

Yestare · 发表于 2017-4-5 16:06:16

回复 1# 王大炮

这个电阻应该是rf nwell 电阻，要求必须第三段接Nring 电位，应该是电路设计接错, 或者还有一种rf pwell 电阻.如果把这个第三段接GND，你的DNW 和GND 可能会short.

Snowy2016 · 发表于 2017-4-6 09:33:14

一般来说，如果是well（P/N）电阻、diff电阻等有源电阻，所在well需要避免结的順偏漏电。如果是poly电阻，poly与下方的well不会存在直接的通过，well电位相对较灵活一些，面积比较充分的情况下，可以考虑将poly电阻放在nwell里面，有隔离噪声的作用。至于well电位，建议nwell接到相对稳定的高电位，若接到低电位或多或少有latch的风险，pwell的话接到低电位就好。此外，若是高压环境，注意寄生MOS的影响。

王大炮 · 发表于 2017-4-6 19:43:08

回复 5# Yestare

在看陈诚颖的coms模拟集成电路设计中，第七章lna也是rf电阻第三端接的地。所以我现在很混乱，难道电路第三端和版图第三端接的不是同一电位？

王大炮 · 发表于 2017-4-6 19:44:14

回复 6# Snowy2016

我也觉得nwell应该接高电位，但书上确实接的地，不太理解。

Snowy2016 · 发表于 2017-4-7 11:23:07

回复 8# 王大炮

接地也不是说不可以，相对来说地上的噪声比电源可能要小吧。只是nwell接地，要特别注意周围的环境，避免foward or latch，有些fab的rule就会要求0V的nwell要和接电源的nwell拉开40um！！！

Yestare · 发表于 2017-4-7 16:50:20

回复 7# 王大炮

这个关键是要看你的制程，如果有负压，nwell 接0V 其实也是正电压. 关键是制程，研究下制程剖面图吧!

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