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MOS电容特点就是密度高,所以非常省面积,但是缺点也很明显 就是非常不准确,如果你的震荡频率精度要求不高 ... phoenixson 发表于 2017-3-17 11:33 登录/注册后可看大图
C1 C2使用PMOS电容,保证VDD-VREF>VTH_P,PMOS沟道反型。MOS管的栅氧层厚度一般随工艺角变化±10%,Cgg也就 ... lynker 发表于 2017-3-17 17:49 登录/注册后可看大图
回复 phoenixson 我在0.18um以上工艺使用 lynker 发表于 2017-3-20 11:01 登录/注册后可看大图
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