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查看: 2911|回复: 6

[求助] SSRAM时序

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发表于 2017-3-7 18:06:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

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adv.PNG 图1
WRITE CYCLE TIMING.PNG
图2
READ CYCLE TIMING.PNG



1.想问下有人用过SSRAM 吗,对于这个时序图我也是奔溃的,看不懂啊,
2.还有就是图一中我所标记的部分所说的问题,地址自增是什么意思?(还需要我写地址产生模块吗?)
3.处理器地址和控制器地址分别指的什么?
4.我需要的是连续读写,看的大多都不是连续读写的
发表于 2017-3-7 21:27:31 | 显示全部楼层
如果PCB布线可以, adsc接低,另两拉高,自己产生读写地址即可(注意读有延迟);地址自增、处理器地址和控制器地址与芯片是否工作在突发模式有关,也就是地址A0,A1 由内部产生还是由外部提供,其它类似
发表于 2017-3-7 22:36:42 | 显示全部楼层
这个是ISSI IS61LPS204832/36  的时序图, 32位或36位数据读写的 SSRAM  时序。 存储量还可以,速度很快,实现这个时序不难,信号全是单向的。 一年前已经实现过。 严格按照时序来就对了。
 楼主| 发表于 2017-3-8 07:28:52 | 显示全部楼层
回复 2# asaa


  十分感谢,现在硬件上已经做完了,是(ADSC#,ADV#,拉低,ADSP#拉高,)1.你看我这么理解对吗?(控制器地址就是外部给的,处理器地址就是自增?)  2.  现在是控制器地址,(外部给地址),那怎么实现自增呢,我把原理图给你看下。


你帮我看下是什么工作模式?谢谢。
 楼主| 发表于 2017-3-8 07:42:10 | 显示全部楼层
回复 3# murphy522

IS61LPS204836Byunalitu.PNG
谢谢你,你说的很对,现在我有几个问题能否请教下你,
1.根据原理图能判断是工作在BURST 模式?
2.从图中可以看出地址是外部控制器给的,为什么ADV#还要拉低。
3.我想连续读或是写,而且我看资料说(读需要三个周期,写只需要一个周期),那么怎么能保证读写速度一样?
4.GCLK=160M,GW#=160M,OE#= 160M,那么是不是可以认为读写速度都是160M,
5。能不能加个好友,向您多多学习下,
 楼主| 发表于 2017-3-8 07:43:06 | 显示全部楼层
回复 2# asaa

IS61LPS204836Byunalitu.PNG 部分原理图
发表于 2020-11-8 20:45:59 | 显示全部楼层
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