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[求助] micron nand flash芯片Vcc和Vccq的时序问题(附件为micron64Gb的spec)

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发表于 2016-11-12 23:14:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 JunliPeng 于 2016-11-12 23:16 编辑

1.png 2.png
如图,micron的nand flash在power-on的时候有图中的时序要求,请问在搭电路的时候怎么做到,想用FPGA控制这个FLASH,实现基本的操作。谢谢!


附上芯片的spec
Micron_MT29F64G08CBAAA.pdf (3.08 MB, 下载次数: 43 )
发表于 2016-11-14 15:30:22 | 显示全部楼层
发表于 2016-11-14 16:20:52 | 显示全部楼层
上电后,不要立刻读写操作,等一会就可以了
具体需要的时间,PDF中应该有给出了极限值,再保守一些,多等一会就可以
 楼主| 发表于 2016-11-14 16:39:35 | 显示全部楼层
回复 3# McuPlayer2013
目前我的想法是采用电源管理芯片,控制多电源系统的上电顺序,但是还有一个问题是不知道nand flash要求电源提供多大的电流,需要根据这个来选择LDO芯片。
发表于 2016-11-15 08:06:28 | 显示全部楼层
没必要专门的电源管理芯片,正常供电就可以了。
PDF中已经说得很细了,你可以在NAND上电后Delay个100uS,或者查询R/B#信号变成Ready状态就可操作了,一般是先送第一个cmd是Reset
发表于 2016-11-15 08:14:20 | 显示全部楼层
这个IC应该是3V电压的,范围大概2.7~3.6V,一般工作在3.3V,这种LDO最好找,DCDC也好选
具体功耗就没印象了,datasheet中有章节是专门说电气特性的,包括直流特性和交流特性
你在datahsheet中找一下Electrical Characteristics
 楼主| 发表于 2016-11-15 13:23:56 | 显示全部楼层
回复 6# McuPlayer2013
datasheet上是说到了电气特性,谢谢提醒。但是关于供电的问题我还有其他看法。PDF中(我贴的第一个图,Device Initialization)还说到,micron的nand flash为了防止上电时对数据造成破坏,Vcc内部会进行监控,在初始化器件时Vcc和Vccq需要遵守如下过程:先ramp Vcc,然后ramp Vccq,而且Vccq必须不能超过Vcc。之后才有你说的delay或查询R/B信号。我认为如果不按要求启动会使芯片自动启动内部保护,不能正常进入工作状态。不知道会不会这样。
发表于 2016-11-15 13:52:43 | 显示全部楼层
可以用带serialized power up的电源管理芯片,或者简单点用一个滤波器在电源线上做延时
发表于 2016-11-15 15:09:55 | 显示全部楼层
datasheet的意思是,应该是nand内部对vccq做了安全延迟
但是如果IC上电后未Ready时操作Flash可能导致数据破坏
发表于 2017-4-24 15:22:00 | 显示全部楼层
下下来学习学习~嘻嘻嘻嘻嘻嘻嘻
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