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查看: 8477|回复: 5

[求助] mos管body和衬底有什么区别

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发表于 2016-9-13 09:02:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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对nmos管而言body与衬底有什么区别,body一般放在源端附近,可以放在漏端附近吗?放在两个位置有什么区别呢?
发表于 2016-9-13 10:27:56 | 显示全部楼层
你这问题让人读不懂,难以回答......
发表于 2016-9-13 15:55:53 | 显示全部楼层
NMOS就做在p型衬底上,它的体body就是衬底,整个p型衬底接最低电位,NMOS的body就接的是最低电位,所以你在schematic里面看到NMOS的body和source短接在一起接到了GND上,普通MOS管的SD是对称了,哪边接了相对低的电位,那边就是源,所以你的问题很low,上面说的并不完全,要么回去看书,从最基本的晶体管那一章开始看,要么现在就转行,去干点别的吧
发表于 2016-9-13 16:33:39 | 显示全部楼层
楼主看来对半导体工艺不是很熟悉
建议学习一下半导体工艺就可以搞清楚啦
 楼主| 发表于 2016-9-14 16:49:23 | 显示全部楼层
回复 3# fightshan


    唉,不知道为什么说话这么不懂礼貌?
    你所说的都是最基本的概念,但是不知道你有没有考虑过为什么会是如此?通常我们所看到的mos等效图,会把body放在s端附近,而非d端附近。这一点难道不能引起任何思考吗?
    就我目前的理解,在低压工艺下,body置于s端和d端附近都是没有太大区别的。
    但在高压工艺下,比如tsmc18bcd,design rule就提到body是必须要放在s端附近的,而不能放在漏端附近。
    通过对mos器件的耐压分析,以及热载流子效应等分析,body的位置是有其原因所在。
    所以请对问题进行更深入的思考,而不是上来说一堆教科书上的几句话,想来,这是提升设计功力的途径之一。
    也欢迎大家继续思考一下这个问题。提出更多的见解。
发表于 2022-8-29 12:22:14 | 显示全部楼层


fightshan 发表于 2016-9-13 15:55
NMOS就做在p型衬底上,它的体body就是衬底,整个p型衬底接最低电位,NMOS的body就接的是最低电位,所以你在 ...


“普通MOS管的SD是对称了”

按理说的确是这样的,我做的SH电路,我把s和d反转后做FFT,发现结果略有不同,这是为啥呢
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