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[求助] 硅工艺

发表于 2016-9-7 15:19:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在离子注入中当离子注入方向与靶晶体的某个晶向平行时，会出现沟道效应。控制沟道效应方法：将靶晶体与离子注入方向产生一定角度，或旋转靶晶体，
那么旋转靶晶体的目的是什么？

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