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[求助] 硅工艺

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发表于 2016-9-7 15:19:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在离子注入中当离子注入方向与靶晶体的某个晶向平行时,会出现沟道效应。控制沟道效应方法:将靶晶体与离子注入方向产生一定角度,或旋转靶晶体,
那么旋转靶晶体的目的是什么?
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