GSMS eFlash控制器设计

xiyue_007

目前基于GSMC的eFlash设计控制器。在eFlash的Datasheet上一些时序要求还不太明白，望高手解答(附件是DS)：


参照DS中第10页的table8和第12页的figure2：
  1. 最小TRC是30ns这个不难理解；
  2. 最大TAA是30ns，且没有标注最小值，怎么理解？是TAA不会不能大于30ns？但没有最小值限制么？
  3. 假设我CEb和OEb保持为低电平，那么假如我是想连续读，即在TRC之后变换另外一个地址，那么第2个有效数据是什么时候有效呢，是受TAA限  制还是仍然受TRC限制，即也要在等一个TRC时间才能采样数据？
  4. 第12页的figure2的Note1中关于CEb的翻转时间也没有，也没有说明这个CEb从低到高再到底的过程中高电平的最短时长是多少？

这个DS对时序的描述不是很详细，麻烦做过的专业人士解答。

haimo

TAA应该指的是读数据有效最大时间，为何是最大，就是只要设计者的时序满足这个就可以了。
给最小没有意义，你的设计也要按满足最大设计。

kuix

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