在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 4231|回复: 7

[求助] BUCK convert design--HS fet用作LS fet

[复制链接]
发表于 2016-8-2 17:49:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
Hi,

有人以前用isloated 的hs nldmos 作为 isolated ls nldmos 吗?

这样是否可行?

或者有没有人在这方面吃过亏?

谢谢!
发表于 2016-8-3 13:34:38 | 显示全部楼层
回复 1# 时光风筝

  可以的,没有问题。我用过iso ldnmos做上下管,都OK!
 楼主| 发表于 2016-8-4 10:19:00 | 显示全部楼层
回复 2# silverpuma


    可否问下,
你的design是BUCK converter 吗?
VIN 最高支持多大电压?负载最大电流情况?

我现在工艺不提供ls fet, 因此想把 isolated hs nldmos 作为ls 用,但是工艺厂家说有breakdown的risk ,还在和他们讨论,但是我想知道这里都有哪些risk存在?

你以前try过这种case是吧,测试以及量产均没有问题是吧?

谢谢!
发表于 2016-8-4 10:42:32 | 显示全部楼层
本帖最后由 silverpuma 于 2016-8-4 10:52 编辑

回复 3# 时光风筝


   没有问题的。我们现在32V输入,输出5V/3A;36V输入,输出5V/3A。耐压可以通过调整LDNMOS管的vgs实现的。    30V LDNMOS.jpg
   ISO LDNMOS是用BN隔离的。你只要保证其他内部电路的耐压够好就行。   一般来说,ISO的比no-ISO的反向耐压要低,但是实际上达不到反向耐压,高压MOS管的工作耐压更容易坏。
 楼主| 发表于 2016-8-5 09:30:11 | 显示全部楼层
回复 4# silverpuma


谢谢!
从上面的波形来看,其耐压值在VGS=5V 的时候只有33V , 兄弟居然design了36V的BUCK,非常厉害,你是通过调整Vgs 来实现的吗?

这样应该会对Rdson 以及效率有一定的影响!



我们想把下面的HS 该为LS 使用,但是fab一直说在NDT(@drain)和
NBL(@ISO-ring)会有punchthrough的风险,但是我觉得实际上HS 更worst ,如果HS 可以使用,那么LS一定也可以的呀!
不是很理解!

HS

HS.png


LS

LS

LS
发表于 2016-8-5 09:47:55 | 显示全部楼层
回复 5# 时光风筝

   权衡面积和导通电阻,设置vgs,控制工作电压的。
   应该不会有问题的。HS都OK了,想不明白LS为什么不行?    我们工艺里面有no-iso的管子,我没有用。特意用iso的管子做下管,隔离噪声去的。
 楼主| 发表于 2016-8-5 11:07:38 | 显示全部楼层
回复 6# silverpuma


    可否聊聊,联系方式私信你啦,谢谢!
发表于 2019-1-11 14:52:06 | 显示全部楼层
回复 5# 时光风筝

最后用iso管的可以的吧!如果是dongbu5045的工艺,iso不能不能接高压的,比如做LDO的大管,vin=30v接iso,管子会坏的
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-23 20:02 , Processed in 0.025613 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表