Vgs<Vth时nmos管导通了，还处于线性区的原因

当当冒 · 发表于 2016-7-5 17:57:11

回复 9# tomcarrot
说的是在这几个区的电流分别能达到最大值，再增加Vds之后Id保持变么？那么Id随着Vds在各个区里面的图像是怎样的？感觉有点晕。。。
还请大神不吝赐教

bigb24 · 发表于 2016-7-5 20:19:30

回复 7# 当当冒

分清楚偏置电路和被偏置电路，你这个是被偏置的，电流应该来自上面。你看一下上面PMOS的电路结构。

bigb24 · 发表于 2016-7-5 20:27:13

回复 11# 当当冒

VGS大于VTH为开启，但是在VTH附近时为亚阈值区域，其IV曲线呈指数关系。 SPECTRE判断饱和区应该是：VDS大于VDSAT时为饱和区。注意是VDSAT而不是VGS-VTH。

当当冒 · 发表于 2016-7-6 11:12:09

回复 13# bigb24 嗯，谢谢指教。貌似明白了。。

老来多遗忘 · 发表于 2016-7-6 13:10:34

学习~

bgd_wang · 发表于 2016-7-8 09:10:10

回复 11# 当当冒

当Vds>Vdssat（长沟道可认为Vgs-Vth与Vdssat相等，短沟道时不等）时，管子处于饱和区，Vds是Ids的弱函数（有影响，但影响较小，一阶手工计算可以忽略，饱和电流公式有体现）。当Vgs在Vth附近，管子处于亚阈值区，Vds与Ids是指数关系。当vds<vdssat且vgs>vth,管子处于线性区，vds与Ids为线性关系。需要指出的是，实际上管子在各个区转换是平缓的过度，比如通常我们认为vgs>vth即管子导通只是便于理解。vgs在vth附近管子只是处于亚阈值区，经验上，Vgs大于vgh 50mv以上，我们认为MOS真正完全导通。再比如vds>vdssat,理论上，便认为管子处于饱和区，实际上在工程上，我们会把vgs-vth这个设为150-200mv，如果是作为纯电流源，这个值甚至会更大。以上

whluosai · 发表于 2016-7-8 09:49:56

vdsat小于70~80mV就在亚阈值区，为了保证管子在饱和区，一般Vdsat要大于150mV，Vdsat太大了也可能进入速度饱和区。

当当冒 · 发表于 2016-7-8 18:30:01

回复 17# whluosai
嗯，学到了，谢谢咯

brightorange · 发表于 2016-7-8 19:50:44

回复 16# bgd_wang

你这是哪里来的说法，，怎么感觉年代有些久远了

过驱动电压完全看要求的，速度要求高的情况下，才需要比较高的过驱动电压，不同的工艺也不一样

brightorange · 发表于 2016-7-8 19:57:02

估计是使用的 bsim 3的模型，建议以 vgsteff作为设计时候的变量，具体vgstef 与 vgs -vth的关系可以查看 bsim 3的手册
这个过驱动电压的选择，参考sansen的书，以及gm/id的设计策略

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