为什么Hot Nwell的宽度要加大？

zwtemptation · 发表于 2016-7-4 13:19:35

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请教大家：请教大家：某fab的0.18 3.3/5V CMOS工艺的设计规则中规定：
1)最小Nwell 的宽度 0.86um。
2）最小 hot Nwell（没接最高电位VDD）的宽度 2.1um。
这是什么原因？以前知道hot Nwell到旁边Nwell、N+ TO间距要放大，是为了防止潜在latch up风险。实在想不明白宽度也要加大？此处的hot Nwell不是用来做Nwell 电阻的，规则中另外有单独定义做电阻最小Nwell宽度的。

15008229548 · 发表于 2016-7-4 22:59:05

抱着学习的态度我也想求个知道什么是hot NWELL

poo4555656 · 发表于 2016-7-5 09:22:07

hot Nwell 应该就是这个井的电位不是固定的吧

zwtemptation · 发表于 2016-7-5 22:24:49

相对hot nwell的是cold Nwell，即接电源VDD的Nwell。
hot nwell即不接VDD的Nwell，因其可能接Pin或易受其他外界因素如脉冲、信号影响，可能出现负电位、或高于VDD的电压，容易导致寄生管导通、latch up等问题。

zwtemptation · 发表于 2016-7-5 22:26:06

hot Nwell 应该就是这个井的电位不是固定的吧
poo4555656 发表于 2016-7-5 09:22

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那和宽度加大有什么关系呢？

zwtemptation · 发表于 2016-7-12 10:07:28

请了解的大侠不吝指教啊

zwtemptation · 发表于 2016-7-31 22:05:22

顶起来

zwtemptation · 发表于 2016-8-3 23:12:10

请了解的大侠不吝赐教啊!!!

zwtemptation · 发表于 2016-11-29 22:20:07

顶起来

[讨论] 为什么Hot Nwell的宽度要加大？

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