IC ESD失效分析分析未发现异常决不等于无失效

copper_hou · 发表于 2016-6-16 21:27:15

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在实际的大量IC失效分析中，都会遇到有些IC明显有限管脚被击穿了，但经过拆封后，SEM并未发现有异常的症状。此时，不同IC分析工程师就会得出不同的结论。
客观很简单，IC失效已是事实，至于失效分析能否发现出异常，这就取决于失效分析的能力了。
IC ESD failure not detected by general SEM.jpg

IC ESD failure not detected by general SEM.jpg

lihaiqi208 · 发表于 2016-6-17 00:42:12

有些击穿或者IV curve偏移失效在顶层不一定能看出来

copper_hou · 发表于 2016-6-17 08:42:02

回复 2# lihaiqi208

是的。同样的IC失效样品，交由不同的失效分析者，会得出不同的结果。
另一方面，IC的失效如果是破坏性的，总有有效的分析手段查证IC是否为ESD/EOS失效，进而到生产过程中查找ESD/EOS源。但如果是潜在性的失效，目前行业仍无有效手段检测此类失效。这种就比较头痛，一方面这种失效势必会影响到IC的可靠性及使用寿命，但另一方面，在潜在性失效未发展成破坏性失效前，你无法锁定哪个IC发生了潜在性失效。
基于IC的潜在性ESD/EOS失效，行业内采用的解决方法是尽可能在IC生产及组装过程中加强ESD/EOS防护，最大程度地提前预防潜在性失效的发生，因为等待IC发生潜在性失效时，你无法分析检测，更无法解决。

tfjim · 发表于 2019-11-8 10:06:59

SEM指的什么？是开盖看金属层吗？

copper_hou · 发表于 2020-2-7 09:47:31

tfjim 发表于 2019-11-8 10:06
SEM指的什么？是开盖看金属层吗？

SEM, Scanning Electron Microscopy,扫描电子显微镜，与FIB（Focused Ion Beam）、TEM(Transmission Electron Microscopy)是电子器件失效分析常用的电子束显微镜检查手段。

copper_hou · 发表于 2020-2-7 09:56:13

业内经验而言，IC正常工作条件下的功能性异常，都可以通过电性检测与电镜检查找到器件内部相应的物理失效症状。但其他影响到IC工作可靠性或lifetime的电性失效，则需要通过特殊的检测手段予以确认，比如施加IC设计的最大电性工作条件甚至是更高、更长的stress条件。

袁野1990 · 发表于 2020-2-10 21:07:11

copper_hou 发表于 2020-2-7 09:56
业内经验而言，IC正常工作条件下的功能性异常，都可以通过电性检测与电镜检查找到器件内部相应的物理失效症 ...

主要还是看是hard fail还是soft fail,soft fail一般FA很难做出来东西。

LCJ862084274 · 发表于 2020-5-11 11:35:22

我就想知道，一个芯片失效后，却找不到失效位置，一个简单的LDO工作5秒后自动关闭输出，在这5秒时间内，静态电流是缓慢增加的，增加到91uA时就会出现自动Latch off.

cocoa623 · 发表于 2020-5-21 22:33:04

LCJ862084274 发表于 2020-5-11 11:35
我就想知道，一个芯片失效后，却找不到失效位置，一个简单的LDO工作5秒后自动关闭输出，在这5秒时间内，静 ...

5S的时间电流增加完全可以做EMMI来查看漏电的位置啊

xingxing58 · 发表于 2020-9-22 16:33:54

tfjim 发表于 2019-11-8 10:06
SEM指的什么？是开盖看金属层吗？

截面分析

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