gate driven nmos

lihaiqi208 · 发表于 2016-6-1 23:59:53

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使用RC+INV+NMOS作为power rail esd clamp时，RC如何选取，放电NMOS的需要使用ESD画法吗？是不是RC足够大，W也足够大，在ESD事件的时间内，靠沟道导通将电荷放完，NMOS就可以普通画法

亘古的山 · 发表于 2016-6-2 05:07:20

看看。。。。。。。。。

zengjie · 发表于 2016-6-3 14:11:29

建议楼主好好学习，不要乱来啊！

qinyuwenzhu · 发表于 2016-6-4 12:04:40

不能普通画法

ksj116 · 发表于 2016-6-6 10:12:42

楼主，gate driven 的ESD pwr clamp BigFet是需用普通mos 管子画法的。一般这个都比较大total Width 要大于3000甚至5000，而且这个clamp管子是靠沟道来泄放ESD current的，目的就是低压trig的。而靠寄生BJT来泄放ESD stress的trig电压比较高，不利于作为power clamp管子来用。

lihaiqi208 · 发表于 2016-6-17 00:44:05

回复 5# ksj116
谢谢您的回答，您的结论是 Mass production verification吗

[求助] gate driven nmos

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