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大家好,
在选择电源的PowerFet(如LDMOS)的时候我们需要考虑LDMOS的可靠性,这就会设计到器件的很多参数比如BVDSS,BVDII,还有LDMOS的CHC,CHI,SOA等等,看得我有点晕,哪问问大神麻烦给解释解释?怎么选择才能保证芯片的可靠性,同时又不会over--design?
几个名词解释:
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage(off state)
BVDII Drain-Source Breakdown Voltage(off state)
HCI Hot Carrier Injection
CHC Channel Hot Carrier
HE-SOA Hot Electron Safe Operating Area
几个图形:
12V LDMOS SOA 图:
HCI:为什么会定义0.2年?
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