SRAM 选型和power分析求助

yaya126 · 发表于 2016-5-9 11:59:15

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yaya126 · 发表于 2016-5-10 10:48:01

有大神指导下吗？

yaya126 · 发表于 2016-5-11 12:12:51

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晴川 · 发表于 2017-12-26 23:13:23

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黄昏的故事 · 发表于 2024-7-23 14:52:16

我来分享下个人观点：

以T22nm工艺来分析大概有以下结论：

对于面积来说，Memory 拆分得越细，面积越大，面积增大来源于Memory本身面积增大，PR摆放的间隙开销以及BIST测试电路的增加；

对于功耗来说，首先要明确Memory的功耗包含leakage功耗，动态读写功耗和standby功耗；Memory越大，各项功耗越大；

对于Memory拆分，如果按宽度拆分，那么面积增大的同时，功耗也增大；

如果按深度拆分，拆分后总Leakage功耗和standby功耗增大，动态功耗减小；动态功耗和standby功耗跟工作频率和有效访问频率相关，需要根据应用需求评估；

在实际工程应用中，拆一半可能是一个比较合适的选择，但不能普适所有情况；

另外，对于Memory的功耗优化，个人认为应该合理利用Memory的SD和SLP功能，做到动态启用SD和SLP功能，尤其是SD，Memory高温下Leakage功耗非常大；

[求助] SRAM 选型和power分析求助

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