40纳米工艺库

阿斯兰

回复 9# spreadtrum.paul


    大神，我想到一个问题。我们使用的工艺库，40n工艺库和60n工艺库的区别在哪？  比如，我用40n仿真 l=100 w=200，和用60n工艺库，仿真 l=100 w=200，这两者有什么不同吗？

zengjie

回复 4# spreadtrum.paul


    你这个回答也太专业了，人家LZ是小白，能看得懂吗？

zengjie

回复 11# 阿斯兰


    这个结果应该相差不大的，40nm工艺库的管子类型太多，有时候连哪个模型都搞不清，不适合入门者使用。建议LZ找个0.5um的CMOS工艺的先学习下，这种工艺里一般只有一种NMOS和一种PMOS，适合初学者。

阿斯兰

回复 13# zengjie


    今天才看到回复……
非常感谢，我先去试试

urianghai

谢谢楼主

andy2000a

回复  spreadtrum.paul

  大神，我想到一个问题。我们使用的工艺库，40n工艺库和60n工艺库的区别在哪？  比如，我用40n仿真 l=100 w=200，和用60n工艺库，仿真 l=100 w=200，这两者有什么不同吗？.
阿斯兰 发表于 2016-6-29 08:40

                               
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logic cell

    一般可以使用 min , 如一个 invert 使用 L=40nm or 60nm 如果很多GATE 就差很多.
但是一般模拟(analog) 不会使用 min rule , 因为很多模拟要的不是 logic 0/1 (switch) .
一般都会取 x3 lmin 还得考虑工艺问题 .

还有 40nm or 60nm 不会容许 l=100um ,
一般连 5v 0.5um mos Lmax =20um , spice model 会分不同区, 因为可能MODEL CARD 会发生 不连续 (碰过有些SPICE MODEL
  做不够好会如此 )

对logic design 来说 20/0.5 M=10 跟 200/0.5 会一样,
但是对 模拟(analog) 是完全不同的 mos

W/l=20/0.5   跟 20/10 不会是同一个 model ,
一定会分开使用 , 很多是 n.1 n.2 ...
还有 spice 会限制你使用, 不是你想画 W=1000um 就可以 , 除非你是当电如使用
但是 RULE 都会出问的 .


40n仿真 l=100 w=200，和用60n工艺库，仿真 l=100 w=200，这两者有什么不同吗？.
=>  Vth 不同

ilwork24

感謝你了，謝謝