40纳米工艺库

阿斯兰

我们在使用hspice仿真的时候，经常都要使用工艺库。谁能跟我解释下，所谓的40纳米工艺库，这个40纳米指的是什么？我刚入门，是个小白，可能问的问题有点低级……真心求教

spreadtrum.paul

40nm 是指mos 管gate length

阿斯兰

回复 2# spreadtrum.paul


    专指mos管的沟道长吗？那40纳米工艺库中的宽是多少？我看我现在手中工艺库的readme里，宽是120。也就是说，40纳米工艺库就是L＝40n，W＝120n？
顺便再问大神一下，这个L＝40n，W＝120n，意思是厂商在制作生存电路的时候，mos管是照着这个数值去做，而实际生产出来的电路，长和宽是以40n和120n为中心的高斯分布吗？还是说，生产出来的电路中的mos管，最小极限值是40n和120n？

spreadtrum.paul

40nm其实是个指标，指这套工艺库的gate length最小是40nm，可以有更长的length，但是length也不是随意画的，都有step，width也一样，需要drive能力大的width就大。
你说的厂商是指foundry么？ foundry给40nm的参数其实是留了shrink在里面的，shrink值一般是0.9
就是说，如果你画的版图是40mm，其实在wafe上只有36nm，这是光照衍射的结果。

阿斯兰

回复 4# spreadtrum.paul


    我现在用于hspice仿真的工艺库是中芯180n工艺库。
这是它工艺库里readme文件中的参数说明。
4. The Capability of Model

            a. MOS Model

            *-----------------------------------------------*
            |     MOSFET type    |  name  |  Lmin  |  Wmin  |
            |--------------------------------------|--------|
            |       1.8V NMOS    |   n18  | 0.18um | 0.22um |
            *--------------------------------------*--------|
            |       1.8V PMOS    |   p18  | 0.18um | 0.22um |

我作仿真的时候，需要用MC 仿真，模拟生产过程中产生的W和L 的宽长变化。在写gauss(w1,w1,w3)，我不知道这里w1，w2，w3，应该设定成多少的值。w1应该设定成180n吗？w2应该设定为0.1吗？w3我一般都设定3。
我现在主要搞不懂的就是，我使用一个工艺库进行宽长变化仿真的时候，不知道这个宽和长，在生产mos管过程中，符合一个什么参数的高斯分布

阿帕克搞

真有如此？

m1521742901

楼主软件能不能给我发一份

阿斯兰

回复 7# m1521742901


    你要什么软件？

spreadtrum.paul

回复 5# 阿斯兰


   
    mos的length 一般是确定的，width根据mos需要的驱动给一个确定的值。
你说的MC是spice 在spice model中定义的正态分布，run mc的时候，spice 会给不同的variation parameter，
根据这些variation parameter 通过仿真工具可以仿真出一个sigma，sigma达到要求就可以，一般6个sigma就可以了。
所以，你根据你的电路要求，设计好mos的W/L，就可以了。
至于mos width length的分布，在monte-carlo model中有定义。
只要你的电路的sigma 和yelid 满足要求，你不需要知道实际生产的时候，mos的width length具体是多少，
其实具体的值就是你设定值周围的一个正态分布。

lature

谢谢楼主