MOS管的驱动

billlin

R1/P7/N7/P10/N19/N11/N10器件是叫做POR 機制(Power on Reset)
當VDD 爬升時,R1的點經由P10的耦合電容couple 到R1 點,
這樣會讓out_Driver node = 0V ,
而非IN的Logic,
這樣是預防本身IC VDD 還沒ready 時,
IN 是unknow ,
那推OUT_Driver 推外部IC 就會產生誤動作.

當VDD Stable 後. R1點回歸於0V,
Out_Driver = IN.

微风拂叶

回复 11# billlin
非常感谢！

追风的孩子

mos管串联，g短接，这样做是为了获得一个比较大的电阻，这样上下两路中电阻分别串在不同位置，两路的转折电压不一样，下面在vthn多一点点，上面在VDD-|vthp|少一点点，这样就分离开了，deadtime就产生了。个人浅见！