diode加了SAB层过不了lvs

zgf85644958 · 发表于 2016-2-29 17:28:26

回复 10# fuyibin

sab不是将S/D整个围起来的吗？con部分是怎么做的呢？对于diode横向导通还是纵向导通，这个得看结间距了吧，为什么说加了没意义呢？

我力可 · 发表于 2016-3-1 11:52:16

个人认为家sab有意义，但contact地方不能加sab。一般验证时替换层或修改文件

我力可 · 发表于 2016-3-1 11:54:25

个人认为有意义，但contact地方是没有sab的。过验证时替换层或修改文件

angels216 · 发表于 2016-3-2 16:47:14

哥们，你SAB包的位置，包多了吧

bing_bing · 发表于 2020-6-4 22:28:45

mos可以加不代表diode就一定能加，加之前至少讨论一下

yylei · 发表于 2020-8-12 19:31:38

zgf85644958 发表于 2016-2-26 11:03
回复 6# fuyibin

MOS加SAB不是为了抵抗esd，而是为了多个finger均匀导通，当然也有一部分是为了保护LDD结构的ESD能力弱问题。
二极管自己本身高压是不会挂的，因为它的泄放电流能力很强，在ESD系统设计中，通常二极管是为了导通后让ESD电流走clamp或者走地泄放掉，你加个SAB层，增大了电阻，岂不是pad上电压更高了，更容易让电路内部挂掉？

litong717 · 发表于 2020-12-21 10:26:05

fuyibin 发表于 2016-2-29 09:06
首先打contact的地方必须做silicide，这是工艺上必须的，没有什么可以讨价还价的。
mosfet s/d的sab做法 ...

正解！

a104842708 · 发表于 2020-12-21 11:28:08

你是什么工艺？我怎么没看到SAB这层layer呢？

jeffej · 发表于 2020-12-21 12:13:53

check with fab is better

8d8d90292 · 发表于 2020-12-21 15:02:38

只能修改LVS，建議可以產生另一個Name來做驗證，不過這樣抽RC就沒法抽

[求助] diode加了SAB层过不了lvs

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