关于TSMC0.25工艺参数常数

小石1309 · 发表于 2015-12-29 16:09:18

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求！！！！在TSMC0.25um工艺中单位面积的栅氧化层电容Cox,晶体管的沟道内电子的平均迁移率Un,Up是多少？常数Cox,Up,Un常用值。。

在论坛上上看到解决的方法是看model文件，但是我没有看明白，本人在做毕业设计，第一次用0.25工艺，哪位大神帮忙解决一下 TSMC0.25um工艺库.docx (100.67 KB, 下载次数: 47 )

工艺库我粘出来上传了

david_reg · 发表于 2015-12-30 10:03:33

模型里面有tox, 可以用公式计算出Cox;
模型是BSIM3的, 可以查查BSIM3的手册看看迁移率是用什么参数表示的.

david_reg · 发表于 2015-12-30 10:07:03

也可以参考Allen的教科书的第二版的附录B中有关从复杂模型提取level1模型参数的数值方法.

小石1309 · 发表于 2015-12-30 14:20:08

回复 2# david_reg

很有帮助，谢谢啦，还有一个问题是：       请问一下工艺库中NMOS DEVICES MODEL 中有MODEL nch.1/nch.2/nch.3/nch.3.1.....是什么意思啊？
      关于迁移率Up和Un还是没有解决，在BSIM3模型手册中关于迁移率的公式好复杂，我只是想用U这个常数，跨导参数K'(n/p)=Up/n*Cox
      是否可以用K'这个常数来得到U，另外在不同的工艺中BSIM3模型U是常数值是一样的吗？

david_reg · 发表于 2015-12-31 19:21:13

回复 4# 小石1309

nch.x (x=1,2....) 是根据MOS管W，L取值范围进行分段的模型， MOS不同的w，l 范围选不同的模型。
可以参考Allen的CMOS analog design教科书的第二版的附录B中有关从复杂模型提取level1模型参数的方法.

小石1309 · 发表于 2016-1-2 17:21:33

回复 5# david_reg

哦哦，，明白了，，谢谢啦

PowerDesign · 发表于 2019-4-16 19:03:57

xxfx

fcm5658779 · 发表于 2019-4-16 19:30:21

小石1309 发表于 2015-12-30 14:20
回复 2# david_reg

这个是模型。一般工艺库随着尺寸的不同会有不同的模型。

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