latchup问题&ESD问题

marsveda · 发表于 2015-11-20 13:41:16

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想问一下，ESDNMOS的NBL floating，据说会对LATCH UP不好，想问一下为什么
还有就是POWER/GND直接打ESD fail時，POMS和NMOS如何導通燒掉的，原理詳細解釋

lugy1989 · 发表于 2015-11-27 10:41:15

NBL是NMOS的的body pickup么？若是 floating的话会导致NMOS的bulck resistance偏大，如此其寄生的NPN易导通，容易诱发latch up。
power gnd出现esd stress时，主要的failure机制应该是p n junction filamentation。

Elliott · 发表于 2016-1-5 01:22:41

latch_up .pdf (131 KB, 下载次数: 805 )

cipsa · 发表于 2016-1-26 13:41:56

謝謝分享

loge · 发表于 2016-2-14 14:40:29

謝謝分享

小威_Liu · 发表于 2016-3-2 10:11:26

学习学习

我力可 · 发表于 2016-3-9 17:15:52

看看这个

efong · 发表于 2016-6-26 10:10:08

THANK YOU

小威_Liu · 发表于 2016-10-29 15:26:22

谢谢分享。

beatlin · 发表于 2016-10-29 22:49:46

不错的资料

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