latchup问题&ESD问题

zhyu101 · 发表于 2019-2-2 15:22:23

谢谢楼主，正好学习下

zhaoxiaopo · 发表于 2020-3-20 09:09:20

学习学习

Rucas · 发表于 2020-4-8 10:37:53

高手，学习了！

jackaq · 发表于 2020-4-8 11:33:36

学习学习

xttttttttc · 发表于 2022-8-17 10:30:18

谢谢分享资料

hanfeng006 · 发表于 2023-1-14 10:43:14

谢谢分享！

请不要这样子噻 · 发表于 2023-1-16 17:33:58

谢谢分享

fei_SH · 发表于 2023-2-8 11:38:51

lugy1989 发表于 2015-11-27 10:41
NBL是NMOS的的body pickup么？若是 floating的话会导致NMOS的bulck resistance偏大，如此其寄生的NPN易导 ...

ESDNMOS的body是Pwell，不会是NBL。NBL是常见于BCD 工艺，是一个N+的埋层，隔离Psub用的。一般会连接Nwell引出作为Iso ring。 NBL floating的话，应该影响的是BV或者漏电，我印象中一般不会直接影响latchup。

衫木下 · 发表于 2023-2-9 11:10:54

max_max 发表于 2017-8-23 01:14
cmos设计规则一般都有衬底覆盖率检查,MOS寄生三级管的发射极电压是通过POWER到S/D端的寄生电阻钳位的,如果 ...

能细说一下嘛？没能太看懂你说的这句话精髓，想请教一下

SEU—arrow · 发表于 2023-2-28 09:59:43

谢谢分享

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