手算与仿真的差距多大可以接受？

e_fever_li

用 tsmc bsim3v3 0.6um cmos 模型 ，低频应用，手工计算 和 仿真的结果 对比，差异多大是正常的、可接受的？？
10%?  20%  或 更大？？
亚微米级，Id 和 Vgs 已经不成 平方关系，，还是用  
Id=1/2CoxUnW/L(Vgs-Vth)(Vgs-Vth)*(1+lambda*Vds).  计算吗？
还有别的 计算方法 吗？
谢谢！

jjh197111

有别的方程。但很复杂了，况且很复杂的方程与器件联系很紧密了。

e_fever_li

jjh197111
       你是说 ，电脑仿真用的方程？那个的确长的要si。

analog123

先用仿真得出一些参考值，然后就能够得到比较精确的结果了

wgdygr

差不多20%，仿阵调整很重要

appleyuchi2

我今天手算了下，和spectre输出的MOS饱和区电流，数值上差了30%左右，郁闷死了

cliassh

差不多就okay吧，反正还要调整的。