电路的耐压问题

mikeppq · 发表于 2015-11-13 11:32:39

从你的现象看是BVce应该在16V左右，这和fab给出的曲线不符。
再次确认一下，两边的npn是不是相同的。
顺便问一下用的是哪家的工艺，如果方便的话。

silverpuma · 发表于 2015-11-13 11:42:10

回复 11# mikeppq

恩，这个是上华的1um40v工艺，npn三极管的耐压我们自己调整过工艺的，这个数据应该没有问题，就是在wafer上面测试出来的。唯一的区别就是测试的时候Ve是接0的，电路里面不是的。

hszgl · 发表于 2015-11-13 12:38:37

本帖最后由 hszgl 于 2015-11-13 12:40 编辑

回复 12# silverpuma

和我的测试结果一样，我也用了这个工艺。
和npn中流过的电流(Ic)有关，如果降低ic，耐压就上去了。
你们调过参数，但应该大同小异。

xievic · 发表于 2015-11-13 12:51:11

在Vout处挂一个电阻作为负载，看看Vout是否随着负载阻值变小而回复正常？

kidd_han · 发表于 2015-11-13 12:51:57

耐压和晶体管有没有流过电流有很大关系的。
MOS是这样，BJT估计也一样。

silverpuma · 发表于 2015-11-13 16:33:29

回复 13# hszgl

关键是我现在输出上面没有负载，只接了一个10nF的电容倒地，应该没有多大电流的说。

silverpuma · 发表于 2015-11-13 16:34:18

回复 14# xievic

挂了负载，输出电压会下降一些，但是电压上升到一定程度后，还是会继续往上升的。

lovlybigbear · 发表于 2015-11-13 18:18:51

ENB 是接的哪多少V 随不随VDD变化

lovlybigbear · 发表于 2015-11-13 18:45:25

感觉是M=1的BJT的Ib有随VDD变大

feel100 · 发表于 2015-11-15 19:49:43

本帖最后由 feel100 于 2015-11-16 09:09 编辑

提供一个思路，你测试时监控VCC的电流，当VOUT出现异常时IVCC是否也增加？此时很有可能是寄生pwell/BN/Psub 的PNP通了。

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