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[求助] 模拟IC中偏置电压的问题

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发表于 2015-10-9 22:48:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

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模拟IC中我们总会遇到Vbias这个偏置电压,比如用MOS管做尾电流源时通过Vbias使mos管工作在饱和区。
请问这个偏压Vbias是如何来的?

是用电压源直接给的吗,还是通过基准电压源来提供的?

如果是基准电压源,我看书上基准电压源的设计会用到BJT,现在CMOS工艺中还会用到BJT吗?

初学者,请高手指点,不胜感激!
发表于 2015-10-10 10:20:45 | 显示全部楼层
电流灌入到一个二极管接法的晶体管上。
发表于 2015-10-10 19:17:46 | 显示全部楼层
1、典型情况,一般初始电流都是由“与电源电压无关的电流产生电路”+“启动电路”给出,然后通过电流镜复制到需要的地方。要用多大的vbias,通过2楼的方法,调整负载管获得。
2、任何CMOS电路也得需要基准,即绝大部分都要用bjt实现,只不过大部分都是横向bjt而已。就算是要从bandgap电流处copy,bandgap也需要偏置,追根求源仍然追溯到电流产生电路,最简单的就是4MOS管+1个电阻。
发表于 2015-10-12 07:26:11 | 显示全部楼层
这个电压源是用一个叫“电流镜”的东西产生的。
其实电流镜中也用了一个理想电流源。。

现在的CMOS工艺是可以fabricate BJT的,不过似乎是叫做“横向bjt”,具体我也不太懂啦。总之就是即使用cmos工艺,fabricate有bjt的bandgap reference也是没有问题。

其实现在有很多人研究全部用cmos做voltage reference,功耗还特别低。不过这是另外一个话题啦O(∩_∩)O
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