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楼主: thonu

[讨论] 器件上到底能不能走线?

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发表于 2016-1-4 10:46:02 | 显示全部楼层
好问题,同问。之前做nm级的工艺时,都是从器件上走线的。后来接触了um级高压工艺时,反而要求不能从器件上过线。
发表于 2016-1-12 16:19:25 | 显示全部楼层
lz的头像好恶心
发表于 2016-1-29 16:58:12 | 显示全部楼层
为了保证tapeout的成功,最好不要跨poly走线,尤其是这种金属层数较少的,主要还是考虑寄生对电路性能的影响,可以考虑与电路设计者沟通一下,责任要抛开,哈哈哈
发表于 2016-2-23 16:32:46 | 显示全部楼层
UM 高压工艺中,为了防止寄生的管子开启,所以有些地方不能走线,或者要添加Ptap才能走线等等,建议仔细看看模拟版图艺术这本书
发表于 2016-2-24 17:19:31 | 显示全部楼层
留意信号线,还有电容和电阻分别是做什么用的,再考虑能不能走线,意思就是说,有些无源器件上也是不能随便走线的
发表于 2016-2-25 10:37:45 | 显示全部楼层
表示没用过高压工艺,一般工艺可以器件上面可以走线的,如果特别需要走敏感线,需要上下左右加上屏蔽
发表于 2021-8-11 16:29:00 | 显示全部楼层
顶一下。
发表于 2021-8-12 09:33:57 | 显示全部楼层
不相干的信号线不跨管
发表于 2021-8-19 10:24:31 | 显示全部楼层
一般来说,nm级别是可以在MOS上走线,除非是比较重要的模块,不能受到任何线的串扰,这种是不可以的,在大一点的工艺上,假如就三层金属,还是不建议在模块上走线,尽量拉出去走线,实在没办法也不要用最底层走,用上层金属走
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