求大神帮忙分析一下基准电路

happyyixin1991 · 发表于 2015-9-15 21:16:46

TC

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我的仿真结果是这样的，确实是开口朝下的，也就是有没有二阶补偿都不起作用？那如何调到开口向上的曲线呢？

kenlino · 发表于 2015-9-16 15:48:36

用RNWELL电阻还是RNPOLY电阻，对基准的温漂会有影响，可以看到一些paper写的就是利用电阻的温漂来改善基准温漂性能。至于对基准初始值的改变是很有限的，有几十mV就算多了。
对二阶温漂乃至三阶补偿，有很多方法，网上搜搜很多的。就针对你这个电路显示的疑是二阶补偿电路的构架，是属于一种叫“分段补偿”方法，简单描述就是通过检测高低温下基准电压相对于常温的偏差，从而产生一个随偏差电压改变而改变的补偿电流，最终流入基准电阻串以减小偏差，即补偿了温漂。具体可以上网搜几篇paper看看。

kenlino · 发表于 2015-9-16 16:01:20

本帖最后由 kenlino 于 2015-9-16 20:09 编辑

回复 11# happyyixin1991
你这曲线就很典型了，从曲线数据看，要想将开口调成向上已经不可能了，这开口由工艺中BJT的VBE的二阶温漂系数正负决定。
可以将右边注入Q4发射极的补偿电流镜像成NMOS电流镜，将补偿电流从注入改成汲取，这样才有二阶补偿效果，而且可以有效减小基准输出电压至1.25V。

happyyixin1991 · 发表于 2015-9-16 21:34:49

回复 13# kenlino

不好意思我还不太明白，如何改成NMOS电流镜呢？你是说把上面的镜像PMOS管改成NMOS吗？怎么才能汲取电流呢？

caomin · 发表于 2015-9-17 09:12:17

回复 1# happyyixin1991

学习

kenlino · 发表于 2015-9-17 10:08:11

本帖最后由 kenlino 于 2015-9-17 10:21 编辑

回复 14# happyyixin1991

补偿点可以按图示接在Q4发射极上，也可以接到R3与R4的节点上，不过需要适当的调节R4与R3的比例，一般R4值比较小。

另外，NMOS电流镜可以不需要通过上面的PMOS电流镜来获取，可简单的从右边Iref直接NMOS镜像过来即可。

happyyixin1991 · 发表于 2015-9-18 15:54:33

回复 16# kenlino
非常感谢！大神我可以加一下你吗？刚开始做基准真的有好多不明白的，也不知道去问谁，我的QQ是1090316876，再次感谢！

happyyixin1991 · 发表于 2015-9-18 16:48:08

回复 16# kenlino

不好意思刚刚忘了问了，就是我红色框框框住的那个mos管，是不是应该把它看作电阻（因为它栅极电压很高工作在线性区），这个电路才能产生与电源电压无关的电流？

kenlino · 发表于 2015-9-18 17:12:58

回复 18# happyyixin1991

这个NMOS是用作电阻，而且电阻阻值应设计的比较大，所以L/W>>1，不过它跟是否产生与电源无关的偏置电流没有太多的关系，主要与右边4管子Bias架构有关，电源裕度足够的话可以增加Cascode来改善。

xianwu_hs · 发表于 2015-9-20 21:35:31

回复 10# happyyixin1991

你是在那本书上看到的这种补偿，可不可以分享下？非常感谢！

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